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電源のEMI低減に貢献する低スパイクタイプの40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET : TPHR7404PU

製品情報 2021-02

これは、電源のEMI低減に貢献する低スパイクタイプの40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET : TPHR7404PUの製品写真です。

当社は、電源用途に適した40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズ「TPHR7404PU」を製品化しました。
新製品は、低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセス[注1]U-MOSIX-Hを採用した低スパイクタイプで、既存製品TPH1R204PBのラインアップ展開製品です。
スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧を低く抑えることが可能です。これにより、低EMIが求められるスイッチング電源の2次側同期整流に適しています。さらに、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現していますので、電源の導通損失の低減に貢献できます。
U-MOSIX-Hシリーズは、低スパイクタイプと高効率タイプをラインアップしており、目的に応じた製品の選択が可能です。

[注1] 2021年1月時点
[注2] 同定格の製品において、当社調べ (2021年1月時点) によるものです。

特長

  • 低スパイクタイプ
  • 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 :
    RDS(ON)=0.74 mΩ (max) @VGS=10 V
  • 低ゲート電圧駆動 (6 V駆動)

用途

  • 各種電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
  • モーター制御機器 (モータードライブなど)

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)

品番 絶対最大定格 ドレイン·ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
(mΩ)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
出力
電荷量
Qoss
typ.
(nC)
入力
容量
Ciss
typ.
(pF)
ゲート
抵抗
rg
typ.
(Ω)
パッケージ
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
@Tc=
25 °C
(A)
@VGS
=10 V
@VGS
=6 V
TPHR7404PU 40 150 0.74 1.17 98 90 6960 3 SOP Advance

内部回路構成図

これは、電源のEMI低減に貢献する低スパイクタイプの40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET : TPHR7404PUの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源のEMI低減に貢献する低スパイクタイプの40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET : TPHR7404PUの応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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