電源のEMI低減に貢献する低スパイクタイプの40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET : TPHR7404PU
製品情報 2021-02
当社は、電源用途に適した40 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズ「TPHR7404PU」を製品化しました。
新製品は、低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセス[注1]U-MOSIX-Hを採用した低スパイクタイプで、既存製品TPH1R204PBのラインアップ展開製品です。
スイッチング時にドレイン･ソース間に発生するスパイク電圧を低く抑えることが可能です。これにより、低EMIが求められるスイッチング電源の2次側同期整流に適しています。さらに、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現していますので、電源の導通損失の低減に貢献できます。
U-MOSIX-Hシリーズは、低スパイクタイプと高効率タイプをラインアップしており、目的に応じた製品の選択が可能です。
[注1] 2021年1月時点
[注2] 同定格の製品において、当社調べ (2021年1月時点) によるものです。
特長
- 低スパイクタイプ
- 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 :
RDS(ON)=0.74 mΩ (max) @VGS=10 V - 低ゲート電圧駆動 (6 V駆動)
用途
- 各種電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
- モーター制御機器 (モータードライブなど)
製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン·ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
出力 電荷量 Qoss typ. (nC) |
入力 容量 Ciss typ. (pF) |
ゲート 抵抗 rg typ. (Ω) |
パッケージ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID @Tc= 25 °C (A) |
||||||||
| @VGS =10 V |
@VGS =6 V |
||||||||
| TPHR7404PU | 40 | 150 | 0.74 | 1.17 | 98 | 90 | 6960 | 3 | SOP Advance |
内部回路構成図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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