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寄生スナバー回路の最適化によってスイッチングノイズを低減(低スパイク・低ノイズ化)

TPH1R306P1

当社は応用機器の効率改善やMOSFETの発熱低減に向けて様々な性能指標を継続的に改善してきましたが、トレンチMOS第8世代(U-MOSⅧ-Hシリーズ)では、これらの改善に加え、新セル構造を導入することで、スイッチング時のノイズやリンギングを低減しています。更に、トレンチMOS第9世代(U-MOSⅨ-Hシリーズ)では下図に示すように、スナバー定数を適正化した低スパイクタイプと⾼効率タイプをラインアップしており、⽬的に応じた製品の選択が可能です。

Switching waveform Comparison (VDSS=60V type)

TPH1R306PL, TPH1R306P1

抵抗負荷スイッチング波形

VDD=30V, ID=50A
RG=4.7Ω,RGS=4.7Ω
Resistance load
Ta=25℃

TPH1R306PL,TPH1R306P1

誘導負荷スイッチング波形(trr)

VDD=30V
IDR=25A
di/dt=220A/μs
Inductive load
Ta=25℃

当社のTPH1R306P1は効率を追求したU-MOSⅨ-Hを低スパイク・低ノイズ化した製品です。従来品であるTPH1R306PLと比較した場合、R負荷スイッチング波形では約13%、誘導負荷(L)スイッチング波形(Trr)では約35%もドレイン・ソース間電圧(VDS)のスパイク・ノイズが低減されています。

U-MOSⅧ-H/U-MOSⅨ-HシリーズMOSFET

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