産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1700 V耐圧SiC MOSFETモジュールのラインアップ拡充

製品情報 2024-03

当社は、産業用機器向けに第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載した1700 V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格 250 A のSiC MOSFETモジュール「MG250V2YMS3」を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品MG250V2YMS3は、ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) を0.8 V (typ.)^[注1]に低減し、低導通損失を実現しました。また、ターンオンスイッチング損失を18 mJ (typ.)^[注2]、ターンオフスイッチング損失を11 mJ (typ.)^[注2]にすることで、低スイッチング損失を実現しました。これにより、機器の損失低減と冷却装置の小型化に貢献します。
MG250V2YMS3は、寄生インダクタンスが12 nH (typ.) と低いため、高速スイッチングで動作可能です。さらに、スイッチング時のサージ電圧が抑制されます。これにより、高周波絶縁DC-DCコンバーターに使用できます。

2-153A1Aパッケージの当社SiC MOSFETモジュールは、新製品を含め、既存製品MG250YD2YMS3 (2200 V耐圧/250 A)、MG400V2YMS3 (1700 V耐圧/400 A)、MG600Q2YMS3 (1200 V耐圧/600 A) の4製品のラインアップとなります。これにより、製品選択の幅が広がりました。

当社は、産業用機器の高効率化、小型化のニーズに対応していきます。

• 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
• 鉄道車両向け補助電源
• 再生可能エネルギー発電システム
• 産業用モーター制御機器
• 高周波絶縁DC-DCコンバーターなど

• ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) が低い :
  VDS(on)sense=0.8 V (typ.) (ID=250 A、VGS=+20 V、Tch=25 °C)
  
• ターンオンスイッチング損失が低い :
  Eon=18 mJ (typ.) (VDD=900 V、ID=250 A、Tch=150 °C)
• ターンオフスイッチング損失が低い :
  Eoff=11 mJ (typ.) (VDD=900 V、ID=250 A、Tch=150 °C)
• 寄生インダクタンスが低い :
  LsPN=12 nH (typ.)