業界最小クラスパッケージのモバイル、コンシューマ機器向けNch MOSFETドライバICの発売について

2017年 9月28日
東芝デバイス&ストレージ株式会社

WCSP6E

当社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch MOSFETドライバIC「TCK401G(アクティブハイ[注1])」及び、「TCK402G(アクティブロー[注2])」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス[注3]の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm, t: 0.55mm(typ.))を採用しています。

用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。

例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。

応用機器

  • モバイル機器、コンシューマ機器

新製品の主な特長

  • 広い入力動作電圧:VIN _opr = 2.7V to 28V
  • 小型WCSP6Eパッケージ: 0.8mm x 1.2mm, t: 0.55mm(typ.)
  • 過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能を内蔵

新製品の主な仕様

項目
(Ta=25℃)
絶対最大定格
  入力電圧VIN (V) 40
電気的特性
  入力電圧VIN (V)
2.7 to 28
入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA)
@ VIN=5 V
121
ゲートドライブ電圧
VGS typ (V)
VIN = 3 V 4
VIN = 5 V 6.5
VIN = 9 V 6.5
12V≦VIN≦28V 6.5
ゲートオン時間
tON typ (ms) [注4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF
0.58
ゲートオフ時間
tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF
16.6

[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2] モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] Nch FET Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。
[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411

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