2017年 9月28日
東芝デバイス&ストレージ株式会社
当社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch MOSFETドライバIC「TCK401G(アクティブハイ[注1])」及び、「TCK402G(アクティブロー[注2])」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。
新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス[注3]の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm, t: 0.55mm(typ.))を採用しています。
用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。
例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。
項目 (Ta=25℃) |
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絶対最大定格 | ||||
入力電圧VIN (V) | 40 | |||
電気的特性 | ||||
入力電圧VIN (V) |
2.7 to 28 | |||
入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA) @ VIN=5 V |
121 | |||
ゲートドライブ電圧 VGS typ (V) |
VIN = 3 V | 4 | ||
VIN = 5 V | 6.5 | |||
VIN = 9 V | 6.5 | |||
12V≦VIN≦28V | 6.5 | |||
ゲートオン時間 tON typ (ms) [注4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF |
0.58 | |||
ゲートオフ時間 tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF |
16.6 |
[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2] モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] Nch FET Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。
[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
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