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業界最小クラスパッケージのモバイル、コンシューマ機器向けNch MOSFETドライバICの発売について

2017年 9月28日
東芝デバイス&ストレージ株式会社

WCSP6E

当社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch MOSFETドライバIC「TCK401G(アクティブハイ[注1])」及び、「TCK402G(アクティブロー[注2])」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス[注3]の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm, t: 0.55mm(typ.))を採用しています。

用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。

例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。

応用機器

  • モバイル機器、コンシューマ機器

新製品の主な特長

  • 広い入力動作電圧:VIN _opr = 2.7V to 28V
  • 小型WCSP6Eパッケージ: 0.8mm x 1.2mm, t: 0.55mm(typ.)
  • 過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能を内蔵

新製品の主な仕様

項目
(Ta=25℃)
TCK401G
(アクティブハイ)
TCK402G
(アクティブロー)
絶対最大定格
入力電圧VIN (V) 40
電気的特性
入力電圧VIN (V)
2.7 to 28
入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA)
@ VIN=5 V
121
ゲートドライブ電圧
VGS typ (V)
VIN = 3 V 4
VIN = 5 V 6.5
VIN = 9 V 6.5
12V≦VIN≦28V 6.5
ゲートオン時間
tON typ (ms) [注4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF
0.58
ゲートオフ時間
tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF
16.6

[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2] モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] Nch FET Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。
[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。

当社の電源用ICの詳細については下記ページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/linear/power-supply.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

小信号デバイス営業推進部

Tel: 03-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。