業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

2017年12月18日
東芝デバイス&ストレージ株式会社

低耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」のラインアップを拡充

U-MOS IX-Hシリーズ

当社は低耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS IX-H(ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズ」の新製品として、産業機器用電源に適した100V耐圧製品「TPH3R70APL」と「TPN1200APL」を追加し、本日から出荷を開始します。

新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代U-MOS Ⅸ-Hプロセスを採用し、素子構造の最適化により業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現しています。さらに、既存プロセス(U-MOS Ⅷ-H(ユー・モス・エイト・エイチ))と比べて、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×出力電荷量と、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減[注2]し、低スイッチング損失を実現します。

当社は市場動向に合わせて今後もラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。

応用機器

  • 産業機器用電源
  • モーター制御機器

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗
      RDS(ON) = 3.7 mΩ(max) @VGS = 10 V(TPH3R70APL)
      RDS(ON) = 11.5 mΩ(max) @VGS = 10 V(TPN1200APL)
  • 低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
  • ロジックレベル駆動(4.5 V) に対応

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25℃)

品番 絶対最大定格 ドレイン・ソース間
オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)
ゲート入力電荷量
Qg typ.
(nC)
ゲートスイッチ電荷量
Qsw typ.
(nC)
出力
電荷量
Qoss typ.
(nC)
入力容量
Ciss typ.
(pF)
パッケージ
ドレイン・ソース間電圧VDSS (V) ドレイン電流 (DC)
ID
@Tc = 25℃
(A)
@VGS=10 V @VGS=4.5 V
100 90 3.7 6.2 67 21 74 4850 SOP Advance
40 11.5 20 24 7.5 24 1425 TSON Advance

[注1]2017年12月18日現在、同定格の製品において。当社調べ。

[注2]TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOSⅧ-H) と比べてオン抵抗×出力電荷量を10 %低減。

TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOSⅧ-H) と比べてオン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を10 %低減。

当社12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

パワーデバイス営業推進部
Tel:03-3457-3933

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