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車載向け100V耐圧・小型パッケージのNチャネルパワーMOSFET発売について

2019年 12月 25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

「XPH4R10ANB」と「XPH6R30ANB」

当社は、48V系車載用途向けに100V耐圧・小型SOP Advance(WF)パッケージのNチャネルパワーMOSFET 2製品を発売しました。本日から順次量産、出荷を開始します。

新製品は、車載用途の小型SOP Advance(WF)パッケージでは、当社初[注1]の100V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。ドレイン電流定格が70Aの「XPH4R10ANB」と45Aの「XPH6R30ANB」の低オン抵抗製品をラインアップしました。

ウェッタブルフランク構造のSOP Advance(WF)パッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能です。これにより、信頼性向上に貢献します。さらに、低オン抵抗のため、機器の省電力化に貢献します。特に、XPH4R10ANBは、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しました。

応用機器

  • 車載機器
    電源装置(DC-DCコンバーター)、LEDヘッドライトなど (モータードライブ、スイッチングレギュレーター、ロードスイッチ)

新製品の主な特長

  • 当社初[注1]の車載用100V耐圧SOP Advance(WF)パッケージ
  • AEC-Q101適合
  • 低オン抵抗:
       RDS(ON)=4.1mΩ (max) @VGS=10V (XPH4R10ANB)
       RDS(ON)=6.3mΩ (max) @VGS=10V (XPH6R30ANB)
  • ウェッタブルフランク構造を採用したSOP Advance(WF)パッケージ

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25°C)

品番

極性

絶対最大定格

ドレイン・ソース間

オン抵抗

RDS(ON) max

(mΩ)

チャネル・

ケース間

過渡熱

インピーダンス

Zth(ch-c)

max

@Tc=25℃

(℃/W)

パッケージ

シリーズ

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン

電流

(パルス)

IDP

(A)

チャネル

温度

Tch

(℃)

@VGS

=6V

@VGS

=10V

XPH4R10ANB

Nチャネル

100

70

210

175

6.2

4.1

0.88

SOP Advance(WF)

U-MOSVIII-H

XPH6R30ANB

45

135

9.5

6.3

1.13

[注1] 2019年12月25日時点

[注2] 同定格の製品において。当社調べ (2019年12月25日時点) によるものです。

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。

車載用デバイス

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