車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

2023年8月17日

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

当社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XPJR6604PB」と「XPJ1R004PB」を発売しました。本日から量産出荷を開始します。

自動運転システムなどの安全性が問われるアプリケーションでは、システムの冗長設計により、従来のシステムと比べてデバイスの搭載員数が増え、実装サイズも大きくなる方向です。そのため、車載機器を小型化するには、より高電流密度で実装可能なパワーMOSFETが必要です。

新製品は、新パッケージのS-TOGL™ (7.0mm×8.44mm^[注1]) を採用しています。チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造に加えて、ソース端子を多ピン化することで、パッケージ抵抗を低減しました。

XPJR6604PBの場合、S-TOGL™パッケージと当社U-MOSⅨ-Hプロセスとの組み合わせにより、当社TO-220SM(W)パッケージの既存製品^[注2]と比べて、オン抵抗を約11%低減し、実装面積を約55%低減して小型化しました。また、同既存製品と同等の熱抵抗特性を備え、高放熱性を実現しています。さらに、新パッケージは、類似サイズの当社DPAK+パッケージ (6.5mm×9.5mm^[注1]) と比べて、ドレイン電流定格が200Aと高く、大電流の通電が可能です。

新製品は、S-TOGL™パッケージにより、高密度、かつコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性に貢献します。

また、S-TOGL™パッケージは、実装応力を緩和するガルウィングリード形状により、振動や高温など過酷な環境下での使用を想定した車載電子部品の、基板実装はんだの接合信頼性向上に貢献します。

なお、ゲートしきい値電圧ごとのグルーピング納品^[注3]にも対応しています。これにより、並列接続での使用が想定される大電流動作を必要とするアプリケーションに対して、特性差の少ない製品グループでシステム設計を進めることができます。

当社は今後もパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充を進め、より使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、カーボンニュートラルの実現を目指します。

• 車載機器（インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど）

• 新パッケージS-TOGL™を採用：7.0mm×8.44mm (Typ.)
• ドレイン電流定格が大きい：
  XPJR6604PB: I_D=200A
  XPJ1R004PB: I_D=160A
• AEC-Q101適合
• IATF 16949/PPAP提供可能^[注4]
• 低オン抵抗：
  XPJR6604PB: R_DS(ON)=0.53mΩ (Typ.) (V_GS=10V)
  XPJ1R004PB: R_DS(ON)=0.8mΩ (Typ.) (V_GS=10V)

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。

車載MOSFET

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