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Diodes SiC Schottky :

SiCショットキバリアダイオード

Les diodes SiC à barrière de Schottky (SBD) disposent d'une tension inverse de valeur nominale élevée. Outre les SBD à temps de recouvrement inverse court (trr), Toshiba propose des SBD à structure JBS (Junction Barrier Schottky) de 650 V, qui fournissent un courant de fuite bas (Ir) et une capacité du courant de choc élevée requise pour les alimentations électriques en mode commuté. Ces dispositifs contribuent à améliorer l'efficacité des alimentations électriques en mode commuté.

Gammes de produits

directe

Conditionnement

Highlight

  • Courant direct de crête élevé (IFSM) :  Env. 7 à 9 fois le courant nominal, IF(DC)
  • Facteur de mérite réduit (VF*QC)*1 :  facteur de mérite env. 30 % plus bas que sur les SBD SiC de 1e génération pour un meilleur rendement
  • Large gamme d'options de conditionnement, dont des boîtiers isolés et à installer en surface :  Répond aux exigences de conception les plus diverses
Electrical characteristics and symbols
(Improvement direction)
Effect on circuits Si material SiC material
FRD* SBD SBD

SBD

(Improved JBS structure)

Reverse voltage, VR

(high)

Voltage surge during switching

★★★★

★★★★★

★★★★★

Leakage current, IR

(low)

Thermal runaway

★★

★★★

★★★★★

Forward Voltage, VF

(low)

Considerable effect on efficiency

★★★

★★★★★

★★★

★★★

Reverse recovery time, trr

(low)

Considerable effect on efficiency

★★★★★

★★★★★

★★★★★

Surge current, IFSM

(large)

Inrush current when switching on

★★★★★

★★

★★★

The greater the number of ★, the better.

* FRD: Fast recovery diode

Improved JBS structure to reduce the leakage current and increase the surge current capability

Improved JBS structure to reduce the leakage current and increase the surge current capability

SiC SBD with lower switching loss

SiC SBD with lower switching loss

High withstand voltage characteristics of SiC SBDs

High withstand voltage characteristics of SiC SBDs

Finalité

Les SBD SiC peuvent être utilisées sur les circuits à correction du facteur de puissance (PFC) des alimentations électriques à haut rendement, les circuits à découpage et les diodes de retour intégrées dans les dispositifs de commutation.

  • Électronique grand public et équipement de bureau : TV LCD 4K, projecteurs, photocopieurs multifonctions, etc.
  • Équipement industriel : Stations de base de communication, PC serveurs, etc.
  • Alimentations CA-CC
  • Alimentations CC-CC

Documents

Application Notes

Number Name Date
- 04/2019

Support

*1  VF・QC  : Le produit de la tension directe et de la charge totale (VF*QC) indique une dégradation de performance des diodes SiC à barrière de Schottky. Lorsque des dispositifs ayant le même courant nominal sont comparés, la perte d'un dispositif présentant un produit VF*QC plus bas est moindre.

Contacts

Pour toute question, cliquez sur l'un de ces liens :

Questions techniques
Questions concernant les achats, l'échantillonnage et la fiabilité des circuits intégrés
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