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SiCショットキーバリアダイオード

SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)は高い逆電圧を特長とします。SBDの特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用し、スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した650VのSBDを提供しています。このデバイスによりスイッチング電源の高効率を実現します。

ラインアップ

VRRM (Max) (V)
IF(DC) (Max) (A)
回路数
パッケージ名 (Toshiba)
VFM (Max) (V)
Results:
表示:

パッケージサイズの保証値はデータシートに記載されているmm単位であり、inch単位のサイズは参考値です。 1mm=0.0393701inchで換算した有効数字2桁の値です。

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低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード(SBD)
SiCを用いることにより、高耐圧で低スイッチング損失(低逆回復電荷)のデバイスを実現しました。
Si 材料とSiC 材料
大出力電源の高効率・低損失化に貢献
FRD:ファーストリカバリーダイオードと比べてリカバリー損失を大幅に削減
低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造
SBDのリーク電流が大きい、サージ電流耐量が低いなどの問題に対して、改良型JBS構造を適用して改善しました。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

電源回路に最適なSiCデバイス
SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)はSi材料では難しかったSBDの高耐圧化、Si FRD(Fast Recovery Diode)に代表されるpn接合ダイオードでは実現できなかった逆回復時間(電荷)の大幅削減を実現しています。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

SiC SBDの高い耐圧特性
Siに比較し10倍近い絶縁破壊電界強度により高耐圧のデバイスを実現しました。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

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