SiCショットキーバリアダイオード

SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)は高い逆電圧を特長とします。SBDの特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用し、スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した650VのSBDを提供しています。このデバイスによりスイッチング電源の高効率を実現します。

ラインアップ

VRRM (Max) (V)
IF(DC) (Max) (A)
回路数
パッケージ名 (Toshiba)
VFM (Max) (V)
Results:
表示：
TO-220F-2L

Package Size

W : 10.0 mm 0.39 inch
L : 15.0 mm 0.59 inch
H : 4.5 mm 0.18 inch
TO-220-2L

Package Size

W : 10.05 mm 0.40 inch
L : 15.3 mm 0.60 inch
H : 4.45 mm 0.18 inch
TO-247

Package Size

W : 15.94 mm 0.63 inch
L : 20.95 mm 0.82 inch
H : 5.02 mm 0.20 inch

パッケージサイズの保証値はデータシートに記載されているmm単位であり、inch単位のサイズは参考値です。 1mm=0.0393701inchで換算した有効数字2桁の値です。

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新製品情報/主な製品

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード(SBD)
SiCを用いることにより、高耐圧で低スイッチング損失（低逆回復電荷）のデバイスを実現しました。
詳細
Si 材料とSiC 材料
大出力電源の高効率・低損失化に貢献
FRD:ファーストリカバリーダイオードと比べてリカバリー損失を大幅に削減
詳細
低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造
SBDのリーク電流が大きい、サージ電流耐量が低いなどの問題に対して、改良型JBS構造を適用して改善しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
詳細
電源回路に最適なSiCデバイス
SiC ショットキーバリアダイオード（SBD）はSi材料では難しかったSBDの高耐圧化、Si FRD(Fast Recovery Diode)に代表されるpn接合ダイオードでは実現できなかった逆回復時間（電荷）の大幅削減を実現しています。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
詳細
SiC SBDの高い耐圧特性
Siに比較し10倍近い絶縁破壊電界強度により高耐圧のデバイスを実現しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
詳細

ドキュメント

名称 日付

技術トピックス

IoTセンサーソリューション
超低消費電力と高精度センシングを小さなサイズに
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アプリケーション

汎用インバーター/サーボ
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電子レンジ
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無停電電源装置
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サーバー
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サーモスタット
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