SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)は高い逆電圧を特長とします。SBDの特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用し、スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した650VのSBDを提供しています。このデバイスによりスイッチング電源の高効率を実現します。
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Package Size
W | : | 10.0 mm 0.39 inch |
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L | : | 15.0 mm 0.59 inch |
H | : | 4.5 mm 0.18 inch |
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