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低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SL

製品情報 2018-07

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの製品写真です。

当社は、最大ピーク逆動作電圧を3.3 Vとした標準タイプのTVSダイオード (ESD保護ダイオード) 「DF2B5SL」を製品化しました。
スマートホンやタブレットなどのモバイル機器は、低消費電力化のためシステム電圧を下げる傾向にあります。そのため信号電圧が低下しています。信号電圧に適したTVSダイオードを選択することで、後段ICへの過度な電圧印加を抑制し破壊を防ぐことが可能です。
新製品 DF2B5SLは、最大ピーク逆動作電圧を3.3 Vとし、既存製品[注1]と比べて低く設定したため低電圧信号ラインのESD保護に適しています。さらに、クランプ電圧も低く、後段回路への影響を抑えることができます。
パッケージは、小型のSOD-962 (当社パッケージ名称: SL2) を採用しています。これにより、基板の実装面積を小さくすることができ、さまざまな用途に使用できます。

[注1] 既存製品 DF2B7SL: 最大ピーク逆電圧5.3 V

特⻑

  • ピーク逆動作電圧: VRWM=3.3 V (max)
  • 高静電気耐量[注2]: VESD= ±17 kV
  • 低クランプ電圧[注3]: VC=9.5 V (typ.) @IPP=5.5 A

[注2] @IEC61000-4-2 (接触放電)
[注3] @IEC61000-4-5 8/20 μs pulse

用途

  • スマートフォン
  • タブレット
  • ゲーム機など

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ピーク
逆動作電圧
VRWM
max
(V)
逆方向
降伏電圧
VBR
min/max
@IBR=1 mA
(V)
クランプ
電圧
VC[注3]
typ.
@IPP
=5.5 A
(V)
ダイナミック
抵抗
RDYN[注4]
typ.
@IPP1=8 A~
IPP2=16 A
(Ω)
端子間容量
Ct
typ.
@VR=0 V
(pF)
名称 サイズ
typ.
(mm)
静電気耐量
VESD[注2]
(kV)
ピーク
パルス電流
IPP
(A)
DF2B5SL SOD-962
(SL2)
0.62×0.32×0.3 ±17 5.5 3.3 3.6 / 6.5 9.5 0.25 7.2

[注4] @TLPパラメータ: Z0=50 Ω、tp=100 ns、tr=300 ps、averaging window t1=30 ns ~ t2=60 ns

内部回路構成

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの内部回路構成です。

応用回路例

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

特性図 (参考値)

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの特性図です。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。