低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SL

製品情報 2018-07

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの製品写真です。

当社は、最大ピーク逆動作電圧を3.3 Vとした標準タイプのTVSダイオード (ESD保護ダイオード) 「DF2B5SL」を製品化しました。
スマートホンやタブレットなどのモバイル機器は、低消費電力化のためシステム電圧を下げる傾向にあります。そのため信号電圧が低下しています。信号電圧に適したTVSダイオードを選択することで、後段ICへの過度な電圧印加を抑制し破壊を防ぐことが可能です。
新製品 DF2B5SLは、最大ピーク逆動作電圧を3.3 Vとし、既存製品[注1]と比べて低く設定したため低電圧信号ラインのESD保護に適しています。さらに、クランプ電圧も低く、後段回路への影響を抑えることができます。
パッケージは、小型のSOD-962 (当社パッケージ名称: SL2) を採用しています。これにより、基板の実装面積を小さくすることができ、さまざまな用途に使用できます。

[注1] 既存製品 DF2B7SL: 最大ピーク逆電圧5.3 V

特⻑

  • ピーク逆動作電圧: VRWM=3.3 V (max)
  • 高静電気耐量[注2]: VESD= ±17 kV
  • 低クランプ電圧[注3]: VC=9.5 V (typ.) @IPP=5.5 A

[注2] @IEC61000-4-2 (接触放電)
[注3] @IEC61000-4-5 8/20 μs pulse

用途

  • スマートフォン
  • タブレット
  • ゲーム機など

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ピーク
逆動作電圧
VRWM
max
(V)
逆方向
降伏電圧
VBR
min/max
@IBR=1 mA
(V)
クランプ
電圧
VC[注3]
typ.
@IPP
=5.5 A
(V)
ダイナミック
抵抗
RDYN[注4]
typ.
@IPP1=8 A~
IPP2=16 A
(Ω)
端子間容量
Ct
typ.
@VR=0 V
(pF)
名称 サイズ
typ.
(mm)
静電気耐量
VESD[注2]
(kV)
ピーク
パルス電流
IPP
(A)
SOD-962
(SL2)
0.62×0.32×0.3 ±17 5.5 3.3 3.6 / 6.5 9.5 0.25 7.2

[注4] @TLPパラメータ: Z0=50 Ω、tp=100 ns、tr=300 ps、averaging window t1=30 ns ~ t2=60 ns

内部回路構成

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの内部回路構成です。

応用回路例

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

特性図 (参考値)

これは、低電圧信号ラインのESD保護に適したTVSダイオード: DF2B5SLの特性図です。

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