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超小型SOD-962パッケージ採用により機器への高密度実装に貢献する過電圧保護用ツェナーダイオード

製品情報 2022-07

これは、超小型SOD-962パッケージ採用により機器への高密度実装に貢献する過電圧保護用ツェナーダイオードの製品写真です。

当社は、開閉サージや誘導雷サージ[注1]、静電気放電 (ESD)[注2]から半導体デバイスを保護するツェナーダイオード「CSLZシリーズ」を製品化しました。標準ツェナー電圧5.6 Vから30 Vの範囲で10品種のラインアップになります。

新製品は、ナノ秒オーダーのESD[注2]やマイクロ秒からミリ秒オーダーの開閉サージ、直流に近い過電圧から半導体デバイスを保護します。
パッケージは、標準実装面積0.1984 mm2の超小型SOD-962[注3]を当社ツェナーダイオードに初めて採用することで、SOD-523[注4]の当社既存製品[注5]と比べて、実装面積を約85 %削減しました。これにより、機器への高密度実装に対応します。
基板の有効活用と、機器の信頼性向上に貢献します。

[注1] @IEC61000-4-5、tp=8/20 μs
[注2] @IEC61000-4-2
[注3] 当社パッケージ名称 : SL2
[注4] 当社パッケージ名称 : ESC
[注5] CEZシリーズ

応用機器

  • 電子機器 (IoT機器、モバイル機器など)

新製品の主な特長

  • 高密度実装に適したSOD-962[注3]パッケージ : 0.62 mm × 0.32 mm × 0.3 mm (typ.)
  • マイクロ秒からミリ秒オーダーの長いパルス幅のサージ保護が可能
  • 幅広いツェナー電圧ラインアップ : VZ (typ.)=5.6 V~30 V

新製品の主な仕様

(@Ta=25 °C)

品番

パッケージ

絶対最大定格

ツェナー電圧

VZ (V)

クランプ

電圧

VC[注6][注7]

typ.

(V)

ダイナミック

抵抗

RDYN[注6]

typ.

(Ω)

名称

サイズ

typ.

(mm)

静電気

耐量

VESD[注2]

(kV)

ピーク

パルス

電流

IPP[注1]

(A)

typ.

測定

電流

IZ

(mA)

接触

放電

気中

放電

CSLZ5V6

SOD-962[注3]

0.62 ×

0.32 ×

0.3

±30

2.5

5.6

5

9

0.25

CSLZ6V2

6.2

10.5

0.38

CSLZ6V8

6.8

14.5

0.5

CSLZ8V2

8.2

17

0.62

CSLZ10V

10

18

0.5

CSLZ12V

±20

12

28

1.5

CSLZ16V

±12

16

30

1.7

CSLZ20V

20

30

2.5

CSLZ24V

±10

24

34

1.5

CSLZ30V

±8

30

2

51

4

[注6] TLPパラメーター : Z0=50 Ω、tp=100 ns、tr=300 ps、averaging window : t1=30 ns~t2=60 ns、ダイナミック抵抗はTLP特性のITLP1=8 A~ITLP2=16 A間で最小2乗法を用いて抽出しています。
[注7] ITLP=8 A

端子配置図

これは、超小型SOD-962パッケージ採用により機器への高密度実装に貢献する過電圧保護用ツェナーダイオードの端子配置図です。

応用回路例

これは、超小型SOD-962パッケージ採用により機器への高密度実装に貢献する過電圧保護用ツェナーダイオードの応用回路例です。

注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

* 本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。