製品情報 2024-02
当社は、高電圧変換装置向けに新開発した定格4500 V/3000 Aの圧接型IEGT[注1]「ST3000GXH35A」を製品化しました。
新製品ST3000GXH35Aは、Nバッファー層の最適化により既存製品[注2]と比べて、低電流時のターンオフ電圧振動ピーク値(Vcp[注3])を約400 V[注4]低減しました。これにより、スナバー回路の簡素化に貢献します。また、高電圧を要求するアプリケーションに合わせ、短絡耐量(パルス幅)の測定電圧を3400 V[注5]に強化することにより、変換装置の短絡保護設計を容易にしました。
[注1] IEGT:Injection Enhanced Gate Transistor(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター)の略
[注2] 既存製品:ST3000GXH31A
[注3] Vcpが最大となる条件:VCC=3400 V、IC=300 A、LS≃300 nH, RG(off)=39 Ω、VGE=±15 V、Tj=150 °C
[注4] 2022年8月、当社実測値
[注5] 既存製品ST3000GXH31Aは3200 V
(特に指定のない限り、Tc = 25 °C)
品番 | ST3000GXH35A | |||
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当社パッケージ名称 | 2-168A2S | |||
絶対最大定格 | コレクター・エミッター間電圧 VCES (V) | 4500 | ||
ゲート・エミッター間電圧 VGES (V) | ±20 | |||
コレクター電流 (DC) IC (A) | Tf=105 °C | 3000 | ||
接合温度 Tj (°C) | −40~150 | |||
電気的特性 | コレクター・エミッター間飽和電圧 VCE(sat) (V) |
VGE=15 V、 IC=3000 A、 Tj=150 °C |
Typ. | 2.60 |
ターンオンスイッチング損失 Eon (J) |
VCC=2800 V、 IC=3000 A、 RG(on)=2.2 Ω、 LS≃300 nH、 Tj=150 °C |
Typ. | 8.00 | |
ターンオフスイッチング損失 Eoff (J) |
VCC=2800 V、 IC=3000 A、 RG(off)=39 Ω、 LS≃300 nH、 Tj=150 °C |
Typ. | 20.00 | |
短絡耐量 (パルス幅) tPSC (μs) |
VCC=3400 V、 RG(on)=2.2 Ω、 RG(off)=39 Ω、 LS≃150 nH、 Tj=125 °C |
Max | 10 |
注:この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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