車載大電流アプリケーション用MOSFETゲートドライバースイッチIPD : TPD7106F
製品情報 2020-05
当社は、ジャンクションボックスやボディーコントロールモジュールなどの車載電子制御装置 (Electronic Control Unit : 以下ECU) での電流の導通や遮断を制御するゲートドライバースイッチIPD[注1]「TPD7106F」を製品化しました。
新製品TPD7106Fは低オン抵抗の当社車載用NチャネルMOSFET[注2]と組み合わせて、大電流アプリケーションに対応したハイサイドスイッチを構成できます。また、メカニカルリレーと異なり接点摩耗がないため、メンテナンスフリー化を実現できます。短絡時にはMOSFETを保護するため、急速にターンオフを制御する入出力端子があり、マイコンからの独立制御を可能にしました。異常動作発生時は急速にMOSFETをオフします。さらに、高い動作温度定格150 °Cを持ち、高温環境下での動作を可能としました。バッテリー逆接時のリーク電流を抑え、MOSFETのソースコモン接続に対応しています。スタンバイ時は最大5 μAと低消費電流としました。パッケージは小型のSSOP16[注3]を採用し、車載ECUの小型化と低消費電力化に貢献します。
[注1] IPD (Intelligent Power Device)
[注2] 使用デバイス例 : TKR74F04PBx4 (40 V/250 A)
[注3] SSOP16 : 5.0×6.4 mm (typ.)
特⻑
- AEC-Q100適合
- 負荷電流に応じて低オン抵抗のNチャネルMOSFET[注2]と組み合わせて使用できる
- 異常動作発生時のMOSFET急速オフ用の入出力端子を内蔵
用途
車載機器
- ECU (ジャンクションボックス、ボディーコントロールモジュールなど)
- パワーディストリビューションモジュール
- 半導体リレー
製品仕様
(特に指定のない限り、 @Ta=25 °C)
| 品番 | TPD7106F | ||
|---|---|---|---|
| パッケージ | SSOP16 | ||
| 絶対最大定格 | 電源電圧 VDD(1) (V) | -18～27 | |
| 電源電圧 VDD(2) (V) | @t≦500 ms | 40 | |
| 入力電圧 VSTBY (V) | -0.3～40.0 | ||
| 入力電圧 VIN(1)、VIN(2) (V) | -0.3～6.0 | ||
| CPV電圧 VCPV (V) | 40 | ||
| TEST端子電圧 VTEST (V) | 40 | ||
| 出力電流 (ソース) IOUT1(1) (mA) | -10 | ||
| 出力電流 (シンク) IOUT1(2) (mA) | 10 | ||
| 出力電流 (シンク) IOUT2 (mA) | 400 | ||
| 診断出力電圧 VDIAG (V) | -0.3～40.0 | ||
| 診断出力電流 IDIAG (mA) | 5 | ||
| 許容損失 PD (W) | 1.16 | ||
| 動作温度 Topr (°C) | -40～150 | ||
| 動作範囲 | 動作電源電圧 VDD (V) | @Tj= -40～150 °C | 4.5～27.0 |
| 電気的特性 | 急速オフドライブ動作時間 tO2ON typ. (μs) | @Tj=25 °C | 100 |
| 消費電流 IDD(1) max (μA) | @待機時、Tj=25 °C | 5 | |
ブロック図
注 : ブロック内の機能ブロック/回路/定数などは、機能を説明するため、一部省略、簡略化している場合があります。
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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