薄型・高温動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5751H、TLP5752H、TLP5754H

製品情報 2020-11

これは、薄型・高温動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5751H、TLP5752H、TLP5754Hの製品写真です。

当社は、小~中容量IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動用に薄型SO6Lパッケージのフォトカプラー「TLP5751H」「TLP5752H」「TLP5754H」を製品化しました。
新製品は、最大動作温度定格を既存製品[注1]の110 °Cから125 °Cに高めました。また、主要特性を動作温度定格 (Ta=−40~125 °C) で規格化しましたので、熱設計マージンの確保や設計がしやすくなります。
パッケージは、高さが最大2.3 mmの薄型のため、セット基板上での部品配置の自由度向上に貢献します。さらに、当社従来製品[注2]のSDIP6 パッケージ[注3]のランドパターンに実装可能です。このため、基板裏面への実装や高さ制限のある場所での置き換えが可能です。

[注1] 既存製品 : TLP5751、TLP5752、TLP5754
[注2] 従来製品 : TLP700H、TLP701H
[注3] パッケージの高さ : 4.15 mm (max)

特⻑

  • ピーク出力電流定格 (@Ta=−40~125 °C) :
    IOP=±1.0 A (TLP5751H)
    IOP=±2.5 A (TLP5752H)
    IOP=±4.0 A (TLP5754H)
  • 高い動作温度定格 : Topr (max)=125 °C
  • Rail-to-rail出力

用途

IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動

  • 産業機器 (汎用インバーターや太陽光発電インバーターなど)
  • 家電機器 (エアコン用インバーターなど)

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=−40~125 °C)

品番
パッケージ SO6L
Rail-to-rail出力 搭載
絶対最大定格 ピーク出力電流 IOPH、IOPL (A) ±1.0 ±2.5 ±4.0
電気的特性 電源電圧 VCC min / max (V)
15 / 30
供給電流 ICCH、ICCL max (mA) 3.0
スレッショルド入力電流 (L/H)
IFLH max (mA)
4
スイッチング特性 伝搬遅延時間 tpLH、tpHL max (ns)
150
伝搬遅延スキュー tpsk min / max (ns)
−80 / +80
コモンモード過渡耐性
CMH、CML min (kV/μs)
@Ta=25 °C
±35

端子配置図

これは、薄型・高温動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5751H、TLP5752H、TLP5754Hの端子配置図です。

応用回路例

これは、薄型・高温動作対応で基板裏面や高さ制限のある場所でも使えるIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラー : TLP5751H、TLP5752H、TLP5754Hの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。