600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60F

製品情報 2018-01

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの製品写真です。

「TK750A60F」など4品種は、600 V耐圧の新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズです。
新製品は、チップデザインの最適化により既存のπ-MOSVIIシリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5 dB低減[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また、ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保し、既存世代品からの置き換え検討を容易にしています。
今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500 V、650 V耐圧製品のラインアップ展開を行います。

[注1] 従来製品TK10A60Dと新製品TK750A60Fでの比較 (65 WノートPCアダプタ@200 MHz領域)。

3つの特⻑

  • 新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXを採用
  • 高効率と低ノイズの両立
  • ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保

用途

  • 中小型スイッチング電源 (ノートPC用ACアダプタ、ゲーム機チャージャなど)
  • 照明用電源

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=10 V
(Ω)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
既存世代
(π-MOSVIIシリーズ)
品番
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130
6 1.2 21 740
3.7 1.9 14 490
11 0.65 34 1320

内部回路構成図

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

新製品TK750A60Fと従来製品TK10A60Dとの比較[注2]

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの新製品TK750A60Fと既存製品TK10A60Dとの比較です。

[注2] 当社実測値

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。