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600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60F

製品情報 2018-01

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの製品写真です。

「TK750A60F」など4品種は、600 V耐圧の新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズです。
新製品は、チップデザインの最適化により既存のπ-MOSVIIシリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5 dB低減[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また、ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保し、既存世代品からの置き換え検討を容易にしています。
今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500 V、650 V耐圧製品のラインアップ展開を行います。

[注1] 従来製品TK10A60Dと新製品TK750A60Fでの比較 (65 WノートPCアダプタ@200 MHz領域)。

3つの特⻑

  • 新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXを採用
  • 高効率と低ノイズの両立
  • ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保

用途

  • 中小型スイッチング電源 (ノートPC用ACアダプタ、ゲーム機チャージャなど)
  • 照明用電源

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=10 V
(Ω)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
既存世代
(π-MOSVIIシリーズ)
品番
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D
TK1K2A60F 6 1.2 21 740 TK6A60D
(RDS(ON)=1.25 Ω)
TK1K9A60F 3.7 1.9 14 490 TK4A60DB
(RDS(ON)=2.0 Ω)
TK650A60F 11 0.65 34 1320 TK11A60D

内部回路構成図

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

新製品TK750A60Fと従来製品TK10A60Dとの比較[注2]

これは、600 V耐圧新世代プレーナパワーMOSFET π-MOSIXシリーズ: TK750A60F、TK1K2A60F、TK1K9A60F、TK650A60Fの新製品TK750A60Fと既存製品TK10A60Dとの比較です。

[注2] 当社実測値

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。