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バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET: XPH3R114MC、XPH4R714MC、XPN9R614MC

製品情報 2019-06

これは、バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET: XPH3R114MC、XPH4R714MC、XPN9R614MCの製品写真です。

当社は、車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET「XPH3R114MC」「XPH4R714MC」「XPN9R614MC」を製品化しました。
新製品は、PチャネルMOSFETの最新プロセス[注1]U-MOSVI (ユー・モス・シックス) を採用し、低オン抵抗を実現しました。特にXPH3R114MCは、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗[注3]です。低オン抵抗のため、導通損失が低減できますので機器の省電力化に貢献できます。また、バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動です。さらにゲートしきい値電圧幅を1.1 Vと狭くしましたので、並列使用時のドレイン電流のばらつきが少なくなり、制御が容易です。
新製品は、車載機器のロードスイッチやモータードライブなどに適しています。

[注1] 2019年3月時点
[注2] 同定格の製品において。東芝調べ (2019年3月時点) によるものです。
[注3] XPH3R114MC: RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=-10 V

特⻑

  • 低オン抵抗
      RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=-10 V (XPH3R114MC)
      RDS(ON)=4.7 mΩ (max) @VGS=-10 V (XPH4R714MC)
      RDS(ON)=9.6 mΩ (max) @VGS=-10 V (XPN9R614MC)
  • 低ゲート駆動電圧 (VGS=-4.5 V)
  • 狭ゲートしきい値電圧: Vth=-1.0~-2.1 V (1.1 V幅)

用途

  • 車載機器
      ロードスイッチ
      モータードライブ

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)

品番 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
(mΩ)
ゲート
しきい値
電圧
Vth
(V)
チャネル·
ケース間
過渡熱
インピーダンス
Zth(ch-c)
max
@Tc=25 °C
(°C/W)
パッケージ
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
@VGS=
-4.5 V
@VGS=
-10 V
min max
XPH3R114MC -40 -100 4.7 3.1 -1.0 -2.1 0.88 SOP Advance(WF)
XPH4R714MC -60 6.9 4.7 1.13
XPN9R614MC -40 13.4 9.6 1.5 TSON Advance(WF)

内部回路構成図

これは、バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET: XPH3R114MC、XPH4R714MC、XPN9R614MCの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET: XPH3R114MC、XPH4R714MC、XPN9R614MCの応用回路例です。


ブラシレスモーター駆動回路

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。