バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動の車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET: XPH3R114MC、XPH4R714MC、XPN9R614MC
製品情報 2019-06
当社は、車載用-40 V耐圧PチャネルパワーMOSFET「XPH3R114MC」「XPH4R714MC」「XPN9R614MC」を製品化しました。
新製品は、PチャネルMOSFETの最新プロセス[注1]U-MOSVI (ユー･モス・シックス) を採用し、低オン抵抗を実現しました。特にXPH3R114MCは、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗[注3]です。低オン抵抗のため、導通損失が低減できますので機器の省電力化に貢献できます。また、バッテリー電圧低下時でも駆動可能な-4.5 V駆動です。さらにゲートしきい値電圧幅を1.1 Vと狭くしましたので、並列使用時のドレイン電流のばらつきが少なくなり、制御が容易です。
新製品は、車載機器のロードスイッチやモータードライブなどに適しています。
[注1] 2019年3月時点
[注2] 同定格の製品において。東芝調べ (2019年3月時点) によるものです。
[注3] XPH3R114MC: RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=-10 V
特⻑
- 低オン抵抗
RDS(ON)=3.1 mΩ (max) @VGS=-10 V (XPH3R114MC)
RDS(ON)=4.7 mΩ (max) @VGS=-10 V (XPH4R714MC)
RDS(ON)=9.6 mΩ (max) @VGS=-10 V (XPN9R614MC) - 低ゲート駆動電圧 (VGS=-4.5 V)
- 狭ゲートしきい値電圧: Vth=-1.0～-2.1 V (1.1 V幅)
用途
- 車載機器
ロードスイッチ
モータードライブ
製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン· ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート しきい値 電圧 Vth (V) |
チャネル· ケース間 過渡熱 インピーダンス Zth(ch-c) max @Tc=25 °C (°C/W) |
パッケージ | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
@VGS= -4.5 V |
@VGS= -10 V |
min | max | |||
| -40 | -100 | 4.7 | 3.1 | -1.0 | -2.1 | 0.88 | SOP Advance(WF) | |
| -60 | 6.9 | 4.7 | 1.13 | |||||
| -40 | 13.4 | 9.6 | 1.5 | TSON Advance(WF) | ||||
内部回路構成図
応用回路例
ブラシレスモーター駆動回路
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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