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車載機器の小型化に貢献するNチャネル100 V耐圧パワーMOSFETのラインアップ拡充 : XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC

製品情報 2021-07

これは、車載機器の小型化に貢献するNチャネル100 V耐圧パワーMOSFETのラインアップ拡充 : XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANCの製品写真です。

当社は、車載機器の小型化に貢献する100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET 3品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品は、DSOP Advance(WF)Lパッケージ採用の「XPW4R10ANB」、DSOP Advance(WF)Mパッケージ採用の「XPW6R30ANB」、TSON Advance(WF)パッケージ採用の「XPN1300ANC」です。同パッケージでは当社初の100 V耐圧製品です。ウェッタブルフランク構造のパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が容易になります。また、車載信頼性規格AEC-Q101に適合しています。さらに当社の「U-MOSVIII-H (ユー・モス・エイト・エイチ)」プロセスを採用した低オン抵抗製品のため、機器の省電力化に貢献します。

さまざまな車載機器のアプリケーションに対応し、お客様の幅広いニーズに応えます。

特⻑

  • AEC-Q101適合
  • 低オン抵抗 :
      RDS(ON)=3.4 mΩ (typ.) @VGS=10 V (XPW4R10ANB)
      RDS(ON)=5.3 mΩ (typ.) @VGS=10 V (XPW6R30ANB)
      RDS(ON)=11.2 mΩ (typ.) @VGS=10 V (XPN1300ANC)
  • 基板実装状態の自動外観検査が容易なウェッタブルフランク構造の表面実装タイプパッケージ

用途

車載機器

  • モータードライブ
  • スイッチング電源
  • ロードスイッチなど

製品仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)

品番 XPW4R10ANB XPW6R30ANB XPN1300ANC
極性 Nチャネル
絶対
最大定格
ドレイン · ソース間電圧  VDSS (V) 100
ドレイン電流 (DC)  ID (A) 70 45 30
ドレイン電流 (パルス)  IDP (A) 210 135 60
チャネル温度 Tch (°C) 175
電気的特性 ドレイン·ソース間
オン抵抗
RDS(ON) max  (mΩ)
@VGS=4.5 V 24.2
@VGS=6.0 V 6.2 9.5
@VGS=10 V 4.1 6.3 13.3
熱抵抗特性 チャネル·ケース間
過渡熱インピーダンス
Zth(ch-c) max (°C/W)
0.88 1.13 1.5
パッケージ DSOP
Advance(WF)L
DSOP
Advance(WF)M
TSON
Advance(WF)
シリーズ U-MOSVIII-H

内部回路構成図

これは、車載機器の小型化に貢献するNチャネル100 V耐圧パワーMOSFETのラインアップ拡充 : XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANCの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、車載機器の小型化に貢献するNチャネル100 V耐圧パワーMOSFETのラインアップ拡充 : XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANCの応用回路例です。
これは、車載機器の小型化に貢献するNチャネル100 V耐圧パワーMOSFETのラインアップ拡充 : XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANCの応用回路例です。
これは、車載機器の小型化に貢献するNチャネル100 V耐圧パワーMOSFETのラインアップ拡充 : XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANCの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

∗ 本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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