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UVLO機能を搭載した、デジタル制御スイッチング電源及びIPM駆動用フォトカプラの発売について

平成29年 9月21日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

TLP2735

当社は、当社初のUVLO[注1] 機能を搭載した、MOSFETゲート信号絶縁用の高速ICフォトカプラ「TLP2735」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新製品は、UVLO機能搭載により電源ラインなどに発生するノイズの影響を受けにくく、主電源投入時の誤動作の防止が可能です。

また、入出力間の絶縁耐圧5 kVrms (min)を確保し、フォトカプラ安全規格IEC60747-5-5[注2] にも適合しているため、高い絶縁性能が必要な応用にも適しています。

出力側の動作電源電圧は、MOSFETのゲート電圧に合わせて9V~20V仕様とし、MOSゲート絶縁用フォトカプラとしては高速な伝搬遅延時間100ns (max) を達成しています。高電源電圧仕様によりIPM の入力絶縁にも対応可能です。

さらに、新製品の後段にバッファ回路を付加するだけで、MOSFETの絶縁ゲートドライブ回路が実現できます。動作温度は-40℃~125℃を確保しており高温環境下での使用にも対応しています。

米大手ITアドバイザリ会社ガートナー社の最新レポートにおいて、当社は2015年から2016年にかけて、売り上げベースでシェアNo.1のフォトカプラメーカーと認定されました。また、そのレポートによると、当社は2016年に販売金額ベースで市場シェア23%を獲得しました。(出典:Gartner, Inc. “Market Share: Semiconductor Devices and Applications, Worldwide, 2016” 30 March 2017)

当社は、市場動向に合わせた多様なフォトカプラ・フォトリレーの開発を推進することで、お客様のニーズに応える製品を届け続けます。

応用機器

  • MOSFETゲート信号 絶縁インタフェース
  • デジタル制御スイッチング電源
  • FA機器 (IPM駆動)

新製品の主な特長

  • ヒステリシス付きUVLO機能搭載
  • 動作温度定格: -40~125℃
  • 薄型・長沿面のSO6Lパッケージ採用
     [高さ2.3 mm (max)、沿面・空間距離8 mm、強化絶縁対応]

新製品の主な仕様

 (特に指定のない限り @Ta= -40~125℃)

品番 パッケージ 沿面距離
min
(mm)
絶対最大定格 絶縁耐圧
BVS
min
@Ta=25℃
(kVrms)
スレッショルド
入力電流
(H→L)
IFLH
max
(mA)
UVLOスレッショルド
VUVLO+, VUVLO-
typ.
(V)
伝達遅延時間
tpHL, tpLH
max
(ns)
瞬時コモンモード
ノイズ除去電圧
CMH, CML
min
(kV/μs)
動作温度
Topr
(℃)
TLP2735 SO6L 8 -40~125 5 3 8.1/7.5 100 25

[注1] Under Voltage Lock Out: UVLO (低電圧誤動作防止機能)

[注2] IEC60747-5-5適合: 最大許容動作絶縁電圧 VIORM=1140 Vpeak

新製品を含む当社のフォトカプラ製品については下記ホームページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/opto/photocoupler.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

オプトデバイス営業推進部

Tel: 03-3457-3431

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。