小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について

2018年 1月29日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社

SSM6N357R

当社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x 0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。

また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

  • 車載向け　リレー、ソレノイド駆動用
  • 産業向け　リレー、ソレノイド駆動用
  • OA機器向け　クラッチ駆動用

新製品の主な特長

  • 周辺部品の削減が可能
  • 3.0V低電圧動作
  • デュアルパッケージ品 (2 in 1)
  • AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

項目 特性
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V)		 60
ゲート・ソース間電圧
VGSS (V)		 ±12
ドレイン電流
ID (A)		 0.65
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)		 |VGS|=3.0V 2400
|VGS|=5.0V 1800
ゲート入力電荷量
Qg typ. (nC)		 1.5
入力容量
Ciss typ. (pF)		 43
パッケージ 2.9mm×2.8mm;
t=0.8mm

内部回路構成図

内部回路構成図

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