急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売について

2023年5月18日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

これは、急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売についての画像です。

当社は、モバイル機器などのリチウムイオン(Li-ion)電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、コモンドレイン接続12V耐圧、電流定格20AのNチャネルMOSFET「SSM14N956L」を製品化し、本日から出荷を開始します。

近年、Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。また、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型・薄型サイズが求められます。

新製品は、先行リリースした既存製品SSM10N954Lと同じ当社微細プロセスを採用しました。これにより、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗特性による低電力損失と、低いゲート・ソース間漏れ電流特性による低待機電力化の両立が可能となり、バッテリーの長時間動作に貢献します。

また、小型・薄型の新パッケージ TCSPED-302701 (2.74mm × 3.0mm、t=0.085mm (typ.)) を採用し保護回路の高密度実装に貢献します。

当社は今後も、Li-ion電池パック搭載機器の保護回路向けにMOSFET製品の開発を進めていきます。

応用機器

  • Li-ion電池パック搭載の民生/個人用機器
    (スマートフォン、タブレットデバイス、パワーバンク、ウエアラブル端末、ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルコンパクトカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)

新製品の主な特長

  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗:RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
  • 業界トップクラス[注1]の低ゲート・ソース間漏れ電流:IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
  • 小型・薄型のTCSPED-302701パッケージ:2.74mm × 3.0mm、t=0.085mm (typ.)
  • バッテリー保護回路で使用しやすいコモンドレイン構造

[注1] 同定格の製品で。2023年5月現在、当社調べ。

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番 SSM14N956L SSM10N954L[注2]
構造 Nチャネル
コモンドレイン
絶対最大定格 ソース・ソース間電圧 VSSS (V) 12
ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) ±8
ソース電流 (DC) IS (A) 20.0 13.5
電気的特性 ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS max (μA) @VGS=±8V ±1
ソース・ソース間オン抵抗 RSS(ON) typ. (mΩ) @VGS=4.5V 1.00 2.1
@VGS=3.8V 1.10 2.2
@VGS=3.1V 1.25 2.4
@VGS=2.5V 1.60 3.1
パッケージ 名称 TCSPED-302701 TCSPAC-153001
寸法 typ. (mm) 2.74×3、t=0.085 1.49×2.98、t=0.11
在庫検索&Web少量購入 Buy Online Buy Online

[注2] 先行リリース製品

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SSM14N956L 

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。

SSM14N956L 
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