急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売について
2023年5月18日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、モバイル機器などのリチウムイオン（Li-ion）電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、コモンドレイン接続12V耐圧、電流定格20AのNチャネルMOSFET「SSM14N956L」を製品化し、本日から出荷を開始します。
近年、Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。また、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型・薄型サイズが求められます。
新製品は、先行リリースした既存製品SSM10N954Lと同じ当社微細プロセスを採用しました。これにより、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗特性による低電力損失と、低いゲート・ソース間漏れ電流特性による低待機電力化の両立が可能となり、バッテリーの長時間動作に貢献します。
また、小型・薄型の新パッケージ TCSPED-302701 (2.74mm × 3.0mm、t=0.085mm (typ.)) を採用し保護回路の高密度実装に貢献します。
当社は今後も、Li-ion電池パック搭載機器の保護回路向けにMOSFET製品の開発を進めていきます。
応用機器
- Li-ion電池パック搭載の民生／個人用機器
（スマートフォン、タブレットデバイス、パワーバンク、ウエアラブル端末、ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルコンパクトカメラ、デジタル一眼レフカメラなど）
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
- 業界トップクラス[注1]の低ゲート・ソース間漏れ電流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
- 小型・薄型のTCSPED-302701パッケージ：2.74mm × 3.0mm、t=0.085mm (typ.)
- バッテリー保護回路で使用しやすいコモンドレイン構造
[注1] 同定格の製品で。2023年5月現在、当社調べ。
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、Ta=25°C）
| 品番 | SSM14N956L | SSM10N954L[注2] | ||
|---|---|---|---|---|
| 構造 | Nチャネル コモンドレイン |
|||
| 絶対最大定格 | ソース・ソース間電圧 VSSS (V) | 12 | ||
| ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) | ±8 | |||
| ソース電流 (DC) IS (A) | 20.0 | 13.5 | ||
| 電気的特性 | ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS max (μA) | @VGS＝±8V | ±1 | |
| ソース･ソース間オン抵抗 RSS(ON) typ. (mΩ) | @VGS＝4.5V | 1.00 | 2.1 | |
| @VGS＝3.8V | 1.10 | 2.2 | ||
| @VGS＝3.1V | 1.25 | 2.4 | ||
| @VGS＝2.5V | 1.60 | 3.1 | ||
| パッケージ | 名称 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 | |
| 寸法 typ. (mm) | 2.74×3、t=0.085 | 1.49×2.98、t=0.11 | ||
| 在庫検索＆Web少量購入 |  |
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[注2] 先行リリース製品
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
SSM14N956L
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。
SSM14N956L
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