産業用機器の高効率化・小型化に貢献する業界初の2200V耐圧Dual シリコンカーバイド (SiC) MOSFETモジュール開発について

2023年8月29日

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

当社は、産業用機器向けに当社第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載した業界初^[注1]の2200V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格250AのDual SiC MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発しました。新製品は、DC1500Vで使用する太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションに適しています。本日から量産出荷を開始します。

これまで太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションは、一般的にDC1000V以下で使用されていました。そのため、アプリケーションに使用するパワーデバイスは、1200V耐圧または1700V耐圧製品が主流でした。しかし、今後、DC1500Vのアプリケーションが多用される見込みから、業界初の2200V耐圧製品をリリースしました。

新製品は、ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) を0.7V (typ.)^[注2]と低くし、低導通損失を実現しました。また、ターンオンスイッチング損失を14mJ (typ.)^[注3]、ターンオフスイッチング損失を11mJ (typ.)^[注3]と低くし、一般的なSi (シリコン) IGBTモジュールと比べて約90%^[注4]のスイッチング損失低減を実現しました。これにより、機器の高効率化に貢献します。さらに、低スイッチング損失を実現することで従来の3レベル回路ではなく、モジュール搭載数が減少する2レベル回路を構成することができ、機器の小型化に貢献します。

当社は、今後もさまざまな電流値を展開した製品ラインアップを拡充し、産業用機器の高効率化、小型化のニーズに対応していきます。

• 再生可能エネルギー発電システム（太陽光発電など）
• エネルギー貯蔵システム
• 産業用モーター制御機器
• 高周波絶縁DC-DCコンバーターなど

• ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) が低い:
  V_DS(on)sense=0.7V (typ.) (I_D=250A、V_GS=+20V、T_ch=25°C)
• ターンオンスイッチング損失が低い:
  E_on=14mJ (typ.) (V_DD=1100V、I_D=250A、T_ch=150°C)
• ターンオフスイッチング損失が低い:
  E_off=11mJ (typ.) (V_DD=1100V、I_D=250A、T_ch=150°C)
• 寄生インダクタンスが低い:
  L_sPN=12nH (typ.)

新製品の詳細については下記ぺージをご覧ください。

MG250YD2YMS3

当社のSiCパワーデバイスの詳細については下記ページをご覧ください。

SiCパワーデバイス

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：

　　パワーデバイス営業推進部

　　Tel: 044-548-2216