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シリコンカーバイド(SiC)はシリコン(Si)と比べて、絶縁破壊電界強度、飽和電子速度、熱伝導度などが高い半導体材料です。そのため、半導体デバイスへ適用した場合、Siデバイスと比較して高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。これにより、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できる次世代の低損失デバイスとして期待されています。
2023年08月31日
スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFET発売について
2023年08月29日
産業用機器の高効率化・小型化に貢献する業界初の2200V耐圧Dual シリコンカーバイド (SiC) MOSFETモジュール開発について
2023年08月10日
低電力損失とシステム単純化・小型軽量化を実現する2200 V SiC MOSFETを開発(8月18日更新)
2023年07月13日
産業用機器の高効率化に貢献する第3世代650V耐圧SiC ショットキーバリアダイオードの発売について
2022年12月09日
低オン抵抗と高信頼性を両立したショットキーバリアダイオード内蔵SiC MOSFETを開発
2022年08月30日
産業用機器の高効率化に貢献する第3世代SiC(炭化ケイ素) MOSFETを発売
2022年07月22日
低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発
2022年04月14日
東芝技術広告「有村架純の未来ラボ」、「パワー半導体」編・「量子暗号通信」編の展開について ~社会課題を解決する先端技術を有村研究員と後輩研究員の掛け合いで紹介~
2022年03月02日
NEDO「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」 プロジェクトに採択~次世代高耐圧電力変換器向けSiCモジュールの開発について~
2022年01月26日
産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について
2021年06月23日
SiC MOSFETの高温環境下における信頼性向上と 電力損失低減を実現するデバイス構造を開発
2021年05月10日
高信頼性と小型化を実現したSiCモジュール向けパッケージ技術を開発
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