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SiCパワーデバイス
シリコンカーバイド(SiC)はシリコン(Si)と比べて、絶縁破壊電界強度、飽和電子速度、熱伝導度などが高い半導体材料です。そのため、半導体デバイスへ適用した場合、Siデバイスと比較して高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。これにより、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できる次世代の低損失デバイスとして期待されています。
ラインアップ
SiC MOSFET
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC （シリコンカーバイド）を使用したMOSFETです。
SiCショットキーバリアダイオード
650V耐圧、定格電流2A～10Aのシリコンカーバイドショットキーバリアダイオード (SiC SBD) をラインアップしています。
新製品情報/主な製品
産業機器の電力損失低減に貢献するSiC MOSFET
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
リファレンスデザイン
ニュース・最新情報
シミュレーション
PSpice® (SiCショットキーバリアダイオード)
LTspice® (SiCショットキーバリアダイオード)
2D/3D data
スイッチング電源回路ライブラリー
関連情報
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