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SiCパワーデバイス

シリコンカーバイド(SiC)はシリコン(Si)と比べて、絶縁破壊電界強度、飽和電子速度、熱伝導度などが高い半導体材料です。そのため、半導体デバイスへ適用した場合、Siデバイスと比較して高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。これにより、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できる次世代の低損失デバイスとして期待されています。

ラインアップ

SiC MOSFET
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC (シリコンカーバイド)を使用したMOSFETです。
SiCショットキーバリアダイオード
650V耐圧、定格電流2A~10Aのシリコンカーバイドショットキーバリアダイオード (SiC SBD) をラインアップしています。
SiC MOSFETモジュール
当社のSiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等の産業向け電力変換装置の低損失化、小型化に最適な新材料、SiC(シリコンカーバイド) を使用しています。
電源の新たな扉を開く 東芝のSiC MOSFET
環境とエネルギーに関する問題は世界的な重要課題であり、省エネルギーが注目されているなか電力需要は増加していることから、高効率で小型の電力変換システムのニーズが急速に高まっています。
新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン(Si)MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しているため、電力損失の大幅低減と機器の小型化に貢献します。
SiC MOSFETが電源の小型化、低損失化に貢献
SiC MOSFETモジュールの特長
当社のSiC MOSFETモジュールは、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。
東芝 SiC MOSFETモジュールの特長
IGBTモジュールと比較して、SiC MOSFETモジュールの低損失特性により総損失(スイッチング損失+導通損失) を低減できます。また、高速スイッチングおよび低損失動作により、フィルターとトランスおよび ヒートシンクのサイズを縮小が可能となり、小型で軽量なシステムが実現可能となります。
大出力電源の高効率・低損失化に貢献
FRD:ファーストリカバリーダイオードと比べてリカバリー損失を大幅に削減
産業機器の電力損失低減に貢献するSiC MOSFET
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
SiC MOSFETの特長
新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン(Si)の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができます。
SiC MOSFETを使用する最大のメリットとは?
当社のシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、Si IGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスター) と比べて高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現しています。
低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード(SBD)
SiCを用いることにより、高耐圧で低スイッチング損失(低逆回復電荷)のデバイスを実現しました。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造
SBDのリーク電流が大きい、サージ電流耐量が低いなどの問題に対して、改良型JBS構造を適用して改善しました。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

電源回路に最適なSiCデバイス
SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)はSi材料では難しかったSBDの高耐圧化、Si FRD(Fast Recovery Diode)に代表されるpn接合ダイオードでは実現できなかった逆回復時間(電荷)の大幅削減を実現しています。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

SiC SBDの高い耐圧特性
Siに比較し10倍近い絶縁破壊電界強度により高耐圧のデバイスを実現しました。

ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード

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