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SiCパワーデバイス

シリコンカーバイド(SiC)はシリコン(Si)と比べて、絶縁破壊電界強度、飽和電子速度、熱伝導度などが高い半導体材料です。そのため、半導体デバイスへ適用した場合、Siデバイスと比較して高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。これにより、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できる次世代の低損失デバイスとして期待されています。

ラインアップ

SiC MOSFET
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC (シリコンカーバイド)を使用したMOSFETです。
SiCショットキーバリアダイオード
650V耐圧、定格電流2A~10Aのシリコンカーバイドショットキーバリアダイオード (SiC SBD) をラインアップしています。
SiC MOSFETモジュール
当社のSiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等の産業向け電力変換装置の低損失化、小型化に最適な新材料、SiC(シリコンカーバイド) を使用しています。
第3世代SiC MOSFET
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイッチング特性を示す性能指数Ron*Qgdを大幅に改善しました。また、スイッチングノイズによる誤動作がしにくく、対ノイズ性が高く、使いやすい製品になっています。
第3世代SiC MOSFETは以下のような特長を有し、スイッチング電源(データーセンターなどのサーバー向け電源、通信機器用電源など)、無停電電源装置(UPS)、太陽光インバータ、EV充電スタンドなどのアプリケーション向けに使用され、機器の低消費電力化、高出力化に貢献します。
第3世代ディスクリートSiC MOSFET
SiC MOSFETモジュールの特長
当社のSiC MOSFETモジュールは、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。
東芝 SiC MOSFETモジュールの特長
IGBTモジュールと比較して、SiC MOSFETモジュールの低損失特性により総損失(スイッチング損失+導通損失) を低減できます。また、高速スイッチングおよび低損失動作により、フィルターとトランスおよび ヒートシンクのサイズを縮小が可能となり、小型で軽量なシステムが実現可能となります。
低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造
SBDのリーク電流が大きい、サージ電流耐量が低いなどの問題に対して、改良型JBS構造を適用して改善しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
SiC SBDの高い耐圧特性
Siに比較し10倍近い絶縁破壊電界強度により高耐圧のデバイスを実現しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード(SBD)
SiCを用いることにより、高耐圧で低スイッチング損失(低逆回復電荷)のデバイスを実現しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
大出力電源の高効率・低損失化に貢献
FRD:ファーストリカバリーダイオードと比べてリカバリー損失を大幅に削減

ドキュメント

リファレンスデザイン

5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーター
Dual Active Bridge(DAB)変換方式と1200V SiC MOSFETを採用した5kW絶縁双方向DC-DCコンバーター。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
DC-DCコンバーター
3相AC 400V入力対応PFC電源
1200 V系SiC MOSFETによる3相トーテムポール構成4k W PFC電源。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

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