パワー半導体

パワー半導体とは、電気の流れをコントロールしてムダを抑える半導体デバイスです。パソコンなどの電子機器では動作する際に常に電気のロスが発生していますが、高性能なパワー半導体を使用することで電気のムダを低く抑えることができます。高性能なパワー半導体は、例えばパソコンだけでなく、
スマートフォンや自動車、電車や変電所など、電気を使うあらゆるものの省エネを効率的に実現します。

ラインアップ

SiCパワーデバイス

SiC MOSFET
高速スイッチング低オン抵抗特性を有しており、高出力・高効率産業電源、太陽光インバーター、UPSの低損失化に最適な新材料SiC （シリコンカーバイド）を使用したMOSFETです。
詳細
SiCショットキーバリアダイオード
低い順方向電圧特性(VF)を実現した650V, 1200Vシリコンカーバイドショットキーバリアダイオード (SiC SBD) をラインアップしています。
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SiC MOSFETモジュール
当社のSiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等の産業向け電力変換装置の低損失化、小型化に最適な新材料、SiC(シリコンカーバイド) を使用しています。
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MOSFET

12V - 300V MOSFET
トレンチ構造を採用し、優れた微細化技術を用いてセルの高集積化を進めることで、ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)を改善しています。
詳細
400V - 900V MOSFET
高出力電源向けに適したスーパージャンクション(SJ)構造のMOSFETシリーズと低出力電源向けに適したD-MOS(二重拡散構造)のMOSFETシリーズがあります。
詳細
車載MOSFET
12Vバッテリーシステム・モーターコントロール用をはじめ、多様な車載用途に向け、豊富なラインアップで提供します。
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IGBT/IEGT

IGBT
IH調理器・炊飯器・電子レンジ・冷蔵庫・洗濯機・エアコンの省エネ化に貢献する東芝のディスクリートIGBT。
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IEGT (PPI)
優れた遮断能力と高破壊耐量性を備えているため、機器の省エネ化と小型・効率化に貢献します
詳細

ダイオード

スイッチングダイオード
定格電流80 mA~500 mA、1回路から4回路を小型パッケージに搭載したスイッチングダイオードをラインアップ展開しており、高密度電子機器に最適です。
ショットキーバリアダイオード
低VFタイプ、低IRタイプを汎用製品から電源ライン向け製品まで幅広くラインアップしており、様々な機器の高効率化・省電力化に貢献できます。
詳細
ツェナーダイオード
中小型面実装パッケージにツェナー電圧5.6 V～ 82 Vの幅広い電圧ラインアップを展開。民生、産業機器など、幅広い応用分野でご使用いただけます。
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整流用ダイオード
逆電圧200V～1000V、平均順電流0.5A～3Aのラインアップを高密度実装に適した中小型面実装パッケージに展開しています。

技術記事

第3世代SiC MOSFET
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイッチング特性を示す性能指数Ron*Qgdを大幅に改善しました。また、スイッチングノイズによる誤動作がしにくく、対ノイズ性が高く、使いやすい製品になっています。
第3世代SiC MOSFETは以下のような特長を有し、スイッチング電源(データーセンターなどのサーバー向け電源、通信機器用電源など)、無停電電源装置(UPS)、太陽光インバータ、EV充電スタンドなどのアプリケーション向けに使用され、機器の低消費電力化、高出力化に貢献します。
詳細
これは、第3世代ディスクリートSiC MOSFETの画像です。
第3世代SiCショットキーバリアダイオード (SBD)
新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS) 構造を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。
そのため、第3世代製品では、650V耐圧品では1.2V (Typ.)、1200V耐圧品では1.27V (Typ.) と業界トップクラスの低い順方向電圧を実現しました。また650V耐圧品の場合は、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、お客様の機器の電力損失を大幅に低減します。
詳細
これは、第3世代SiCショットキーバリアダイオード (SBD) の画像です。
SiC MOSFETモジュールの特長
当社のSiC MOSFETモジュールは、高信頼性、広いゲート・ソース間電圧、高ゲートしきい値電圧を実現しています。さらに、高耐熱、低インダクタンスパッケージにより、SiCの性能を十分に引き出しています。
MOSFET / SiC MOSFETモジュール
詳細
東芝 SiC MOSFETモジュールの特長
IGBTモジュールと比較して、SiC MOSFETモジュールの低損失特性により総損失(スイッチング損失＋導通損失) を低減できます。また、高速スイッチングおよび低損失動作により、フィルターとトランスおよび ヒートシンクのサイズを縮小が可能となり、小型で軽量なシステムが実現可能となります。
MOSFET / SiC MOSFETモジュール
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SiC SBDの高い耐圧特性
Siに比較し10倍近い絶縁破壊電界強度により高耐圧のデバイスを実現しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
詳細
低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード(SBD)
SiCを用いることにより、高耐圧で低スイッチング損失（低逆回復電荷）のデバイスを実現しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
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大出力電源の高効率・低損失化に貢献
FRD:ファーストリカバリーダイオードと比べてリカバリー損失を大幅に削減
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
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低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造
SBDのリーク電流が大きい、サージ電流耐量が低いなどの問題に対して、改良型JBS構造を適用して改善しました。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
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3相AC400 V入力対応PFC電源リファレンスデザイン
第2世代SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上
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5 kW絶縁双方向DC-DCコンバーターリファレンスデザイン
第2世代SiC MOSFET採用により電源システムの効率を向上
詳細
電源の新たな扉を開く 東芝のSiC MOSFET
SiC MOSFETが電源の小型化、低損失化に貢献
製品
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SiC MOSFETを使用する最大のメリットとは？
当社のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、Si IGBT（絶縁ゲート型バイポーラートランジスター) と比べて高速スイッチングと低オン抵抗特性を実現しています。
詳細
第2世代SiC MOSFET/IGBT　スイッチング損失比較
新材料のSiCを使用したMOSFETは、従来のシリコン (Si) 製品と比べて高速スイッチング(低入力容量、低ゲート入力電荷量など)と低オン抵抗を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
詳細
第2世代SiC MOSFETの特長
新材料シリコンカーバイド (SiC) の絶縁破壊強度はシリコン（Si）の約10倍であるため低オン抵抗の高耐圧パワーMOSFETを実現することができます。
詳細
電源回路に最適なSiCデバイス
SiC ショットキーバリアダイオード（SBD）はSi材料では難しかったSBDの高耐圧化、Si FRD(Fast Recovery Diode)に代表されるpn接合ダイオードでは実現できなかった逆回復時間（電荷）の大幅削減を実現しています。
ダイオード / SiCショットキーバリアダイオード
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スイッチング電源の効率向上に最適なU-MOS X-Hシリーズ150 V耐圧MOSFET
通信基地局用電源やデータサーバー用電源など高効率化が求められるスイッチング電源のため、オン抵抗、電荷容量特性を飛躍的に向上させたU-MOSⅩ-H 150 VプロセスのパワーMOSFET（金属酸化膜半導体型電界効果トランジスター）を開発しました。電源の高効率化、小型化、コストダウンによる付加価値の向上に貢献します。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
150 V耐圧MOSFETを使用したマルチレベルインバーターにより高効率化を実現
生産設備の自動化に貢献する産業用ロボットなどにはモーターを制御するインバーターが欠かせません。 600 V耐圧MOSFETに代わり150 V耐圧MOSFETを使用したマルチレベルインバーターによるインバーターの高効率化手法を提案します。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
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スイッチング電源の高効率化に貢献
MOSFETのスイッチング損失をさらに低減
MOSFET / 400V - 900V MOSFET
詳細
スイッチング電源の損失低減に貢献
オン抵抗と電荷量特性のトレードオフを改善した80V耐圧NチャネルMOSFET
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
U-MOSⅨ-Hシリーズはスイッチング電源の効率向上に最適な製品
U-MOSⅨ-Hシリーズは優れた高速性能を活かし、様々なトポロジーのスイッチング電源で低損失な製品を提供します。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
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U-MOSⅨ-Hシリーズは損失を示す性能指数が大幅に改善
U-MOSⅨ-Hシリーズは、優れたトレンチプロセス技術とパッケージ技術の融合により業界トップレベルの性能を提供します。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
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寄生スナバー回路の最適化によってスイッチングノイズを低減（低スパイク・低ノイズ化）
U-MOSⅨ-Hシリーズでは、スナバー定数を適正化した低スパイクタイプと⾼効率タイプをラインアップしており、⽬的に応じた製品の選択が可能です。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
低電圧駆動機器に最適な製品
微細プロセスを活用することで1.2Vからの低電圧駆動を実現し、加えてトレードオフにある低電圧領域においても低オン抵抗を実現しました。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
最新世代スーパージャンクションMOSFET　DTMOSⅥシリーズ
DTMOSシリーズは高耐圧でありながら、ドリフト層の抵抗を低減できるスーパージャンクション構造を有しており、当社では第4世代であるDTMOSⅣシリーズより、シングルエピプロセスを採用し、更なる低オン抵抗と高速スイッチングの両立を実現しております。
MOSFET / 400V - 900V MOSFET
詳細
放熱効果の高い両面パッケージ、大電流用途の高効率化に貢献
DSOP Advanceパッケージは、放熱効果が向上し大電流通電時の温度上昇の低減および電源回路の小型化による電力密度と効率の向上に貢献します。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
最新世代　二重拡散型MOSFET(D-MOS)　π－MOSⅨシリーズ
π-MOSシリーズはD-MOS（Double Diffusion MOS）構造を採用しており、200Vから900Vまでの幅広い電圧定格でラインアップを有しております。
MOSFET / 400V - 900V MOSFET
詳細
超小型パッケージから汎用パッケージまで幅広いMOSFET製品バリエーション
東芝製小型、低オン抵抗MOSFETは先端技術を採用することで小型かつ低オン抵抗を実現しています。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
新パッケージ TO-247-4Lを製品化 600V系スーパージャンクション パワーMOSFET （DTMOSⅣ-Hシリーズ）
TO-247-4Lパッケージは、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスの影響を低減させることが可能となり、MOSFETチップの高速スイッチング性能をより引き出します。
MOSFET / 400V - 900V MOSFET
詳細
Pch 最新プロセスのMOSFET
優れたトレンチプロセス技術により1.2Vから10Vまでの幅広い駆動電圧と低オン抵抗特性を実現しました。
MOSFET / 12V - 300V MOSFET
詳細
N-ch U-MOSシリーズのスイッチング特性
U-MOSⅧシリーズはCoss・RsのチューニングによりVDSリンギングを抑制し、EMIノイズを低減します。
MOSFET / 車載MOSFET
詳細
車載MOSFETのプロセストレンド
東芝車載MOSFETは最先端のWaferプロセスと低抵抗パッケージ技術を組み合わせで業界トップレベルの低オン抵抗を実現しています。
MOSFET / 車載MOSFET
詳細
車載MOSFETのパッケージトレンド
DPAK＋、DSOP Advance(WF)、SOP Advance(WF)、TSON Advance(WF)はCuコネクタ―構造を採用し、高い電流通電能力を実現しています。
MOSFET / 車載MOSFET
詳細
車載用小型MOSFET　セットの小型化に貢献
トレンチ微細加工技術と低抵抗パッケージ技術を組み合わせで 従来からのパワーMOSFETの領域の置き換えを可能とし、セットの小型化に貢献します。
MOSFET / 車載MOSFET
詳細
低放射ノイズ
チップデザインを最適化することで、実現しています。一般的にゲート駆動用外部抵抗(RG)を小さくすれば、ターンオフスイッチング損失は小さく、放射ノイズは大きくなります。セット側では、放射ノイズ改善分をスイッチング損失の低減に充てることも出来るようになります。
IGBT/IEGT / IGBT
詳細
広い安全動作領域
チップデザインを最適化することで実現し、高電圧側(2次降伏側)へ広げています。実際のセットでは、異常動作などの過渡動作で製品が破壊しにくくなります。
IGBT/IEGT / IGBT
詳細
短絡電流の抑制
コレクター・エミッター間飽和電流を低減することで実現しています。実際のセットでは、電圧共振用で起電時に発生するコンデンサーの短絡電流を抑えることができます。
IGBT/IEGT / IGBT
詳細
低損失（FRD）
ダイオードの導通損失を低減することで実現しています。実際のセットでは、省エネ化に貢献できます。
IGBT/IEGT / IGBT
詳細
低損失（IGBT）
ターンオフスイッチング損失を低減することで実現しています。実際のセットでは、省エネ化に貢献できます。
IGBT/IEGT / IGBT
詳細
圧接型パッケージ PPI (Press Pack IEGT)
IEGTチップを同一面上に配置し、上下からチップを個別にモリブデン板で均一に圧接しています。チップのコレクターとエミッターの電極は、このモリブデン板を介して、それぞれコレクターとエミッターの銅電極に機械的圧接力で接触させ、電気的接続と放熱を行います。
IGBT/IEGT / IEGT
詳細
IEGTの基本原理
図Aは、従来のIGBTの断面構造とNベース中のキャリア分布を示しています。キャリア分布は、コレクター電極側からエミッター電極側に近づくにつれて単調に減少しています。
IGBT/IEGT / IEGT
詳細
ショットキーバリアダイオードとは
ショットキーバリアダイオード(SBD)は、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードです。
ダイオード / ショットキーバリアダイオード
詳細
低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造
ショットキーバリアダイオード(SBD)は、逆回復時間(trr)がほとんど無い、順方向電圧(VF)が低い利点がありますが、反面リークが大きいなどの欠点もあります。当社SBDでは構造を見直し、この欠点を改善した製品をラインアップしています。
ダイオード / ショットキーバリアダイオード
詳細
過電圧保護に適したツェナーダイオード
ツェナーダイオードは、電源ラインや電源制御ライン等の保護に適しており、ホットプラグ等で発生した開閉サージ(過電圧)から内部回路やICを保護できます。
ダイオード / ツェナーダイオード
詳細
幅広い過電圧パルスから保護するツェナーダイオード
ツェナーダイオードは過渡的な過電圧パルスはもちろん、ESD保護用ダイオードでは保護が難しいDCに近い過電圧パルスからも対象を保護できることが特長です。
ダイオード / ツェナーダイオード
詳細

カタログ

名称 日付
名称 日付
名称 日付

アプリケーションノート

名称 日付
名称 日付
名称 日付
名称 日付
名称 日付

技術トピックス

リファレンスデザイン

SiC MOSFET応用3相インバーター
1200 V系SiC MOSFETを搭載しAC 440 Vモーターを駆動する3相インバーター。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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基板写真(例)
1.6 kW サーバー用電源 (アップグレード版)
東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12 V 出力1.6 kW サーバー用電源。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
これは、1.6 kW T型3レベル方式PFC電源の画像です。
1.6 kW T型3レベル方式PFC電源
T型3レベル方式力率補正(PFC)回路による1.6 kW AC-DCコンバーター電源。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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これは、単相PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
単相PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用し単相PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、インターリーブ方式PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
インターリーブ方式PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しインターリーブ方式PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、ブリッジレス方式PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
ブリッジレス方式PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しブリッジレス方式PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバ用電源の特長です。
1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバー用電源
セミブリッジレスPFC・絶縁型フェイズシフトフルブリッジを用いた1Uサイズの80Plus Platinum級1.6kW電源に関する各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
車載用ブラシ付きDCモーター制御回路 (TB9103FTG使用)
車載用ブラシ付きDCモーター制御回路 (TB9103FTG使用) によりHalf-bridgeモードで2台のモーター、またはH-Bridgeモードで1台のモーターの制御が可能。モーター制御は基板のスイッチまたは外付けMCUで可能。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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基板写真(例)
48 Vバス対応 1.2 V/100 A 2段降圧DC-DCコンバーター
近年、データセンターの電力消費が急増しており、サーバーの省電力化が急務となっています。この課題を解決するための48V直流給電に対応した1.2V/100A出力のDC-DCコンバーターです。本デザインは、48Vバスラインから基板上の各種デバイスに1.2V/100Aを供給可能な2段降圧DC-DCコンバーターです。各段に、オン抵抗と電荷量特性のバランスに優れた当社パワーMOSFETを使用し、高効率を実現しています。回路各部の設計ポイント・使用方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。
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基板写真(例)
1.6 kW サーバー用電源 (アップグレード版)
東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12 V 出力1.6 kW サーバー用電源。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。開発済みのパワーマルチプレクサー回路リファレンスデザインに、コモンドレインMOSFET応用回路を追加いたしました。当社の多彩な製品ラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・ツェナーダイオードなど最適なデバイスを組み合わせ、BBMとMBBの切り替えを実現したリファレンス回路を提供致します。
詳細
SiC MOSFET応用3相インバーター
1200 V系SiC MOSFETを搭載しAC 440 Vモーターを駆動する3相インバーター。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーター
USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーターの各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
基板写真(例)
通信機器用非絶縁昇降圧1 kW DC-DCコンバーター
通信機器用非絶縁昇降圧1 kW DC-DCコンバーター。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
基板写真(例)
MOSFET応用3相マルチレベルインバーター
5レベル出力可能な3相マルチレベルインバーター。150 V MOSFETを使用しAC 200 Vモーターを駆動。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
これは、1.6 kW T型3レベル方式PFC電源の画像です。
1.6 kW T型3レベル方式PFC電源
T型3レベル方式力率補正(PFC)回路による1.6 kW AC-DCコンバーター電源。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。
詳細
これは、100 W LLC方式DC-DCコンバーターの基板写真です。
100 W LLC方式DC-DCコンバーター
LLC共振によるZero Volt Switchingを実現した100 W LLC方式DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、200 W アクティブクランプフォワード方式DC-DCコンバーターの製品写真です。
200 W アクティブクランプフォワード方式DC-DCコンバーター
クランプ用スイッチにNch MOSFETを採用したアクティブクランプフォワード方式の200 W絶縁型DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、非絶縁型降圧DC-DCコンバーターの製品写真です。
非絶縁型降圧DC-DCコンバーター
多彩なDC電源出力、負荷、基板実装面積などのバリエーションに対応した非絶縁降圧DC-DC電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、マトリックスLEDヘッドライトの製品写真です。
マトリックスLEDヘッドライト
マトリックスLEDヘッドライトは状況に応じて複数のLEDを独立して点灯制御します。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、TOLLパッケージDTMOS搭載500 Wサーバー用電源の外観写真です。
TOLLパッケージDTMOS搭載500 Wサーバー用電源
電流連続モードPFC、LLC方式DC-DCコンバーターを採用したサーバー向け500 W高効率電源のリファレンスデザインです。PFC部にTOLLパッケージMOSFETを採用することで、小型化を実現。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、LED照明用100 W電源の製品写真です。
LED照明用100 W電源
PFCおよび広範囲の入力電圧（AC90V～264V）を備えたLED照明用の定電流100W電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、1 kWフルブリッジ方式DC-DCコンバーターの外観写真です。
1 kWフルブリッジ方式DC-DCコンバーター
位相シフト方式フルブリッジ方式DC-DCコンバーターを採用した1 kW高効率電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、1.6kW通信機器用48V出力電源の外観写真です。
1.6kW通信機器用48V出力電源
部分ブリッジレスPFC、位相シフト方式DC-DCコンバーターを採用した1Uサイズ・48V出力の通信機器向け1.6kW高効率電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
詳細
これは、アクティブクランプフォワード方式DC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
アクティブクランプフォワード方式DC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しアクティブクランプフォワード方式DC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、アクティブクランプフォワード方式AC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
アクティブクランプフォワード方式AC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しアクティブクランプフォワード方式AC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、フルブリッジ方式DC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
フルブリッジ方式DC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しフルブリッジ方式DC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、フルブリッジ方式AC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
フルブリッジ方式AC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しフルブリッジ方式AC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、非絶縁型同期整流方式降圧DC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
非絶縁型同期整流方式降圧DC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用し非絶縁型同期整流方式降圧DC-DC電源回路を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、ハーフブリッジ (HB) 方式DC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
ハーフブリッジ (HB) 方式DC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しハーフブリッジ(HB)方式DC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、ハーフブリッジ (HB) 方式AC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
ハーフブリッジ (HB) 方式AC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しハーフブリッジ(HB)方式AC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
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これは、フォトボルカプラー+MOSFETによるメカリレー置換のHVAC 応用回路例です。
フォトボルカプラー+MOSFETによるメカリレー置換
フォトボルカプラーTLP3906とパワーMOSFET TPH1R306PLを組み合わせた半導体リレー回路のリファレンスデザインです。メカリレーからの置き換えとして回路設計する際のガイドを記載します。
詳細
これは、48Vバス電圧対応1.2V/100A出力DC-DCコンバーターの特長です。
48Vバス電圧対応1.2V/100A出力DC-DCコンバーター
48Vバス電圧からダイレクトに1.2Vまで降圧し、100A出力可能な絶縁型DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。ブロック図、基板情報、使用方法などを提供します。
詳細
これは、位相シフトフルブリッジ(PSFB)方式AC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
位相シフトフルブリッジ(PSFB)方式AC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用し位相シフト(PSFB)方式AC－DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、Flyback方式DC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
Flyback方式DC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しFlyback方式DC-DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、Flyback方式AC-DC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
Flyback方式AC-DC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しFlyback方式AC-DC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、300W 絶縁型DC-DCコンバータの特長です。
300W 絶縁型DC-DCコンバーター
小型部品を採用し、さまざまなサイズ・用途に応用できるDC12V／300W出力の絶縁型DC-DCコンバーター電源のリファレンスデザインです。仕様、ブロック図、基板情報、使用方法などを提供します。
詳細
これは、単相PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
単相PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用し単相PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、インターリーブ方式PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
インターリーブ方式PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しインターリーブ方式PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
詳細
これは、ブリッジレス方式PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
ブリッジレス方式PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しブリッジレス方式PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
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これは、200W AC-DC電源のブロック図です。
200W AC-DC電源
家電製品や各種組み込み電源応用を想定したDC24V／200W出力のユニバーサル入力AC-DC電源のリファレンスデザインです。仕様、ブロック図、基板パターンなどを提供します。
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これは、MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路の充電回路例です。
MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路
ロードスイッチ回路例ならびにUSB-PD応用に適したスルーレート制御やオートディスチャージ等の内蔵機能の実波形を基にした解説などを提供します。
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これは、MOSFETドライバーIC TCK402G応用と回路の充電回路例です。
MOSFETドライバーIC TCK402G応用と回路
ロードスイッチ回路例ならびにUSB-PD応用に適したスルーレート制御やオートディスチャージ等の内蔵機能の実波形を基にした解説などを提供します。
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これは、MOSFET並列駆動(TPH1R306PL)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
MOSFET並列駆動(TPH1R306PL)応用回路
60V系MOSFETを例にとり、電源等の応用における出力電力増大に向けた並列動作時の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。
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これは、MOSFET並列駆動(TK62N60X)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
MOSFET並列駆動(TK62N60X)応用回路
600V系MOSFETを例にとり、電源等の応用における出力電力増大に向けた並列動作時の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。
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これは、MOSFET四端子パッケージTO-247-4L(TK25Z60X)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
MOSFET四端子パッケージTO-247-4L(TK25Z60X)応用回路
パッケージ内部インダクタンスの影響を低減させる四端子構造を特徴とするTO-247-4Lパッケージを例とし、高速スイッチング化を図る際の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。
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これは、MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路の素子とパターン配線インダクタンスの関係です。
MOSFET四端子パッケージDFN8x8(TK25V60X)応用回路
パッケージ内部インダクタンスの影響を低減させる四端子構造を特徴とするDFN8x8パッケージを例とし、高速スイッチング化を図る際の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。
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これは、1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバー TPD7104AF応用と回路の負荷ショート(過電流)検出機能対応ブロック図です。
1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバー TPD7104AF応用と回路
MOSFETとの組み合わせで大電流ロードスイッチ回路を構成できるゲートドライバーのリファレンスデザインです。応用回路例、負荷ショート検出・電源逆接続保護などの機能説明、回路設計ガイド、シミュレーション例などを提供します。
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これは、1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバ用電源の特長です。
1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバー用電源
セミブリッジレスPFC・絶縁型フェイズシフトフルブリッジを用いた1Uサイズの80Plus Platinum級1.6kW電源に関する各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
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車載用ブラシ付きDCモーター制御回路 (TB9103FTG使用)
車載用ブラシ付きDCモーター制御回路 (TB9103FTG使用) によりHalf-bridgeモードで2台のモーター、またはH-Bridgeモードで1台のモーターの制御が可能。モーター制御は基板のスイッチまたは外付けMCUで可能。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーター
USB PD用車載昇降圧DC-DCコンバーターの各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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これは、マトリックスLEDヘッドライトの製品写真です。
マトリックスLEDヘッドライト
マトリックスLEDヘッドライトは状況に応じて複数のLEDを独立して点灯制御します。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
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これは、IH調理器用インバーター回路の画像です。
IH調理器用インバーター回路
電圧共振ソフトスイッチングによるIH調理器用インバーター回路のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
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これは、スマートゲートドライバーカプラー TLP5214A インバーター応用のインバーターでの応用例です。
スマートゲートドライバーカプラー TLP5214A インバーター応用
インバーター回路での過電流保護に用いられるIGBT過飽和電圧検出などの各種機能を内蔵したゲートドライバーカプラーの応用回路例、設計ガイドを提供します。
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基板写真(例)
1.6 kW サーバー用電源 (アップグレード版)
東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12 V 出力1.6 kW サーバー用電源。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。開発済みのパワーマルチプレクサー回路リファレンスデザインに、コモンドレインMOSFET応用回路を追加いたしました。当社の多彩な製品ラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・ツェナーダイオードなど最適なデバイスを組み合わせ、BBMとMBBの切り替えを実現したリファレンス回路を提供致します。
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基板写真(例)
低消費電力オペアンプTC75S102F応用回路
低消費電力オペアンプTC75S102Fを各種センサー応用回路に適用。バッテリー駆動機器の長時間化に貢献。IoTセンサー、エナジーハーベスティング機器など多彩なデバイスへ展開可能なリファレンス回路を提供致します。
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これは、1.6 kW T型3レベル方式PFC電源の画像です。
1.6 kW T型3レベル方式PFC電源
T型3レベル方式力率補正(PFC)回路による1.6 kW AC-DCコンバーター電源。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。
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これは、48Vバス電圧対応1.2V/100A出力DC-DCコンバーターの特長です。
48Vバス電圧対応1.2V/100A出力DC-DCコンバーター
48Vバス電圧からダイレクトに1.2Vまで降圧し、100A出力可能な絶縁型DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。ブロック図、基板情報、使用方法などを提供します。
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これは、300W 絶縁型DC-DCコンバータの特長です。
300W 絶縁型DC-DCコンバーター
小型部品を採用し、さまざまなサイズ・用途に応用できるDC12V／300W出力の絶縁型DC-DCコンバーター電源のリファレンスデザインです。仕様、ブロック図、基板情報、使用方法などを提供します。
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これは、単相PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
単相PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用し単相PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
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これは、インターリーブ方式PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
インターリーブ方式PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しインターリーブ方式PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
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これは、ブリッジレス方式PFC電源基本シミュレーション回路の回路図です。
ブリッジレス方式PFC電源基本シミュレーション回路
OrCAD®を使用しブリッジレス方式PFC電源を検討する際の基本シミュレーション回路例のリファレンスデザインです。動作概要、部品選定ガイド、シミュレーション波形例、シミュレーション回路使用法などを提供します。
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これは、ロードスイッチTCK301G, TCK302G, TCK303G応用と回路の急速充電回路のメインスイッチです。
ロードスイッチTCK301G, TCK302G, TCK303G応用と回路
小型パッケージを採用し、突入電流抑制機能等を内蔵した低オン抵抗のロードスイッチのリファレンスデザインです。使用回路例、突入電流抑制機能についての実波形を基にした解説などを提供します。
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これは、ロードスイッチTCK321G, TCK322G, TCK323G応用と回路の充電回路です。
ロードスイッチTCK321G, TCK322G, TCK323G応用と回路
小型パッケージを採用し、突入電流抑制機能等を内蔵した低オン抵抗の2入力マルチプレクサロードスイッチのリファレンスデザインです。使用回路例、入力切替機能についての実波形を基にした解説などを提供します。
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これは、1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバ用電源の特長です。
1.6kW, 80Plus Platinum級,高効率 AC-DC サーバー用電源
セミブリッジレスPFC・絶縁型フェイズシフトフルブリッジを用いた1Uサイズの80Plus Platinum級1.6kW電源に関する各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
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ニュース・最新情報

2024年10月23日

電源の低消費電力化に貢献する新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

  • 製品・技術

2024年10月16日

機器の低消費電力化とバッテリーの長時間駆動に貢献する小型MOSFET

  • 製品・技術

2024年08月21日

車載機器の安定駆動に貢献する－40V/－60V耐圧車載用PチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充

  • 製品・技術

2024年07月31日

電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETラインアップ拡充

  • 製品・技術

2024年07月26日

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発

  • 製品・技術

2024年07月17日

電源の高効率化に貢献するDTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプパワーMOSFETラインアップ拡充

  • 製品・技術
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