半導体テスターの高周波信号スイッチに適した小型フォトリレー発売について
2023年10月17日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、インサーションロスを低減し、高周波信号[注1]通過時の電力減衰を抑えた、小型・薄型WSON4パッケージのフォトリレー「TLP3475W」を製品化し、本日から出荷を開始します。
新製品は、多数のリレーを使用し、信号伝送の高速化が求められる半導体テスターのピンエレクトロニクスなどに適しています。
TLP3475Wは、パッケージの最適化設計により寄生容量やインダクタンスを削減しました。これにより、インサーションロスを低減し、高周波信号の通過特性を既存製品TLP3475Sと比べて約1.5倍[注2]の標準20GHz[注2]に向上しています。
パッケージは、厚みを標準0.8mmに抑えた小型・薄型のWSON4パッケージを採用し、業界最小サイズ[注3]で高周波信号の通過特性を実現しました。当社の超小型S-VSON4Tパッケージに比べて厚みを40%削減し、同一基板内により多くの製品が実装可能となり測定効率の改善に貢献します。
当社は、今後も半導体テスターの高速化、高機能化のニーズに対応した製品ラインアップを拡充していきます。
図 インサーションロス S21特性
応用機器
- 半導体テスター（高速メモリーテスター、高速ロジックテスターなど）
- プロ―ブカード
- 計測機器
新製品の主な特長
- 業界最小サイズ[注3]のWSON4パッケージ：1.45mm×2.0mm (typ.)、t=0.8 mm (typ.)
- インサーションロス低減による高周波信号通過特性向上：20 GHz (typ.) [注2]
- ノーマリーオープン機能 (1a接点)
[注1] 周波数帯域が数100MHz～数10GHzの信号とした場合。
[注2] 信号が出力MOSFETを通過する前後の電力減衰比（インサーションロス）が－3dBとなる周波数帯域。
[注3] フォトリレー製品において。2023年10月現在、当社調べ。
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、Ta = 25°C）
| 品番 | TLP3475W | |||
|---|---|---|---|---|
| パッケージ | 名称 | WSON4 | ||
| サイズ (mm) | 1.45×2.0 (typ.)、t=0.8 (typ.) | |||
| 絶対最大定格 | 阻止電圧 VOFF (V) | 60 | ||
| オン電流 ION (A) | 0.4 | |||
| オン電流 (パルス) IONP (A) | 1.2 | |||
| 動作温度 Topr (°C) | －40～110 | |||
| 結合特性 | トリガーLED電流 IFT (mA) | max | 3.0 | |
| オン抵抗 RON (Ω) | typ. | 1.1 | ||
| max | 1.5 | |||
| 電気的特性 | 端子間容量 (出力側) COFF (pF) | max | 20 | |
| スイッチング特性 | ターンオン時間 tON (ms) | RL = 200Ω、 VDD = 20V、 IF = 5mA |
max | 0.25 |
| ターンオフ時間 tOFF (ms) | 0.2 | |||
| 絶縁特性 | 絶縁耐圧 BVS (Vrms) | min | 300 | |
| 在庫検索＆Web少量購入 |  |
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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TLP3475W
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