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第2世代SiC SBD TO-220-2Lパッケージのラインアップ拡充: TRS2E65F、TRS3E65F

製品情報 2017-11

これは、第2世代SiC SBD TO-220-2Lパッケージのラインアップ拡充: TRS2E65F、TRS3E65Fの製品写真です。

「TRS2E65F」、「TRS3E65F」は、第2世代650 V耐圧のシリコンカーバイドショットキバリアダイオード (SiC SBD) です。新製品は、TO-220-2Lパッケージを使用した直流順電流定格2 Aと3 Aの製品です。これによりラインアップを拡充しました。
第2世代製品は、第1世代製品と比べて絶対最大定格の順方向サージ電流 (IFSM) が約1.7倍に向上し破壊しにくく、効率性能指数 (VF·QC[注1]) を約2/3に小さくすることにより低損失を実現しました。電源の高効率化、小型化に貢献します。

[注1] VF·QC (順電圧と総電荷量の積) は、SiC SBDの損失性能を表す指数で、同一電流定格製品で比較した場合小さいほど低損失化が実現できます。

3つの特⻑

  • 直流順電流定格: IF(DC)=2 A/3 A (小容量電源への応用が可能)
  • 高順方向サージ電流 (第2世代製品は、第1世代製品と比べて約1.7倍)
  • 効率性能指数 VF·QC[注1]が小さい (第2世代製品は、第1世代製品と比べて約2/3)

用途

  • 民生·OA機器用高効率電源
    (4K液晶TV、有機EL TV、プロジェクタ、複合複写機 など)
  • 産業機器用高効率電源 (通信基地局、PCサーバ など)
  • 太陽光発電用マイクロインバータ

製品仕様

(@Ta=25°C)

パッケージ 品番 絶対最大定格 電気的特性
直流
順電流
IF(DC)
(A)
順方向
サージ電流
(非繰り返し)
IFSM
(A)
許容
損失
Ptot
(W)
順電圧
VF
(V)
接合容量
Cj typ.
(pF)
総電荷量
QC typ.
(nC)
効率
性能指数
VF·QC
typ.
(V·nC)
- @正弦半波
t=10 ms
- @IF(DC) @VR=1 V @VR=
0.1~400 V
-
TO-220-2L TRS2E65F 2 21 41.6 1.45 (typ.)、
1.60 (max)
85 5.8 8.4
TRS3E65F 3 27 48.3 120 8.1 11.7

内部回路構成図

これは、第2世代SiC SBD TO-220-2Lパッケージのラインアップ拡充: TRS2E65F、TRS3E65Fの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、第2世代SiC SBD TO-220-2Lパッケージのラインアップ拡充: TRS2E65F、TRS3E65Fの応用回路例です。

SiC SBDは、連続導通モード (Continuous Current Mode:CCM) のPFC部に使⽤されることが多くなっています。
Q1オフ状態で交流電⼒が⼊⼒された場合 (電源投⼊時など) ⼤きな電流がPFC⽤のダイオードに流れる可能性があります。
IFSMは商⽤周波でのサージ耐量で、製品を破壊させないための重要な項⽬です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。