高電圧変換装置の小型化/省電力化に貢献する4500 V/1500 A圧接型IEGT
製品情報 2024-04
当社は、直流送電システム、産業用モータードライブ装置などの高電圧変換装置用に新開発したトレンチ型IEGT [注1]チップを搭載した4500 V/1500 A定格の圧接型IEGT「ST1500GXH35A」を製品化しました。
新開発したIEGTチップは、コレクター・エミッター間飽和電圧低減、遮断耐量向上、短絡耐量向上、および高温対応を実現しています。これにより新製品ST1500GXH35Aは既存製品[注2]と比べて、コレクター・エミッター間飽和電圧 (VCE(sat)) [注3]が標準3.4 Vから2.5 Vへ約26 %低減しました。また、遮断耐量が向上したことにより広いRBSOA[注4]を実現、測定電圧3400 Vの短絡耐量の試験を実施しています[注5]。さらに、高温対応が可能になったことで、接合温度定格 (Tj) が最大125 °Cから150 °Cに向上しました。
ST1500GXH35Aは、直流送電システム、静止型無効電力補償装置、産業用モータードライブ装置などの高電圧変換装置の小型化、省電力化に貢献します。
[注1] IEGT：Injection Enhanced Gate Transistor（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター）の略
[注2] 既存製品：ST1500GXH26A
[注3] VCE(sat)測定条件：VGE=15 V、IC=1500 A、Tj=125 °C
[注4] RBSOA：Reverse Bias Safe Operating Area（逆バイアス安全動作領域）の略
[注5] 既存製品の短絡耐量試験の実施は無し
応用機器
- 直流送電システム
- 静止型無効電力補償装置
- 産業用モータードライブ装置
新製品の主な特長
- 低コレクター・エミッター間飽和電圧：VCE(sat)=2.6 V (typ.) (VGE=15 V、IC=1500 A、Tj=150 °C)
- RBSOA拡大（試験電圧を3400 Vに強化）[注6]、短絡耐量試験を実施[注5]
- 最大接合温度定格：Tj (max)=150 °C
[注6] 既存製品の遮断試験電圧は3000 V
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、TC=25 °C）
| 品番 | ST1500GXH35A | |||
|---|---|---|---|---|
| パッケージ | 2-120B1S | |||
| 絶対最大定格 | コレクター・エミッター間電圧 VCES (V) | 4500 | ||
| ゲート・エミッター間電圧 VGES (V) | ±20 | |||
| コレクター電流 (DC) IC (A) | Tf=104 °C | 1500 | ||
| 接合温度 Tj (°C) | －40～150 | |||
| 電気的特性 | コレクター・エミッター間飽和電圧 VCE(sat) (V) |
VGE =15 V、IC =1500 A、 Tj=150 °C |
Typ. | 2.60 |
| ターンオンスイッチング損失 Eon (J) |
VCC=2800 V、IC=1500 A、 RG(on)=2.7 Ω、Ls≃300 nH、 Tj=150 °C |
Typ. | 4.90 | |
| ターンオフスイッチング損失 Eoff (J) |
VCC=2800 V、IC=1500 A、 RG(off)=68 Ω、Ls≃300 nH、 Tj=150 °C |
Typ. | 8.95 | |
| 短絡耐量（パルス幅） tPSC (μs) |
VCC=3400 V、VGE=±15 V、 RG(on)=2.7 Ω、RG(off)=68 Ω、 Ls≃150 nH、Tj=125 °C |
Max | 10 | |
内部回路構成図
応用回路例
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