アクティブクランプ構造を採用した リレー駆動用小型MOSFET: SSM3K357R
製品情報 2017-11
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「SSM3K357R」は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン・ゲート端⼦間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造のMOSFETです。
本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗やシリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0 Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。
3つの特⻑
- 誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
- 3.0 V低電圧駆動
- AEC-Q101適合
用途
- 車載機器向けリレー、ソレノイド駆動用
- 産業機器向けリレー、ソレノイド駆動用
- OA機器向けクラッチ駆動用
製品仕様
(@Ta=25°C)
| 品番 | パッケージ | 絶対最大定格 | ドレイン·ソース間オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ) |
ゲート入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
|||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート· ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
@VGS= 3.0 V |
@VGS= 5.0 V |
||||
| SOT-23F | 60 | ±12 | 0.65 | 1200 | 800 | 1.5 | 43 | |
端子配置図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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