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アクティブクランプ構造を採用した リレー駆動用小型MOSFET: SSM3K357R

製品情報 2017-11

これは、アクティブクランプ構造を採用した リレー駆動用小型MOSFET: SSM3K357Rの製品写真です。

「SSM3K357R」は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン・ゲート端⼦間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造のMOSFETです。
本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗やシリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0 Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

3つの特⻑

  • 誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
  • 3.0 V低電圧駆動
  • AEC-Q101適合

用途

  • 車載機器向けリレー、ソレノイド駆動用
  • 産業機器向けリレー、ソレノイド駆動用
  • OA機器向けクラッチ駆動用

製品仕様

(@Ta=25°C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(ON) typ. (mΩ)
ゲート入力
電荷量
Qg typ.
(nC)
入力容量
Ciss typ.
(pF)
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ゲート·
ソース間
電圧
VGSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
@VGS=
3.0 V
@VGS=
5.0 V
SSM3K357R SOT-23F 60 ±12 0.65 1200 800 1.5 43

端子配置図

これは、アクティブクランプ構造を採用した リレー駆動用小型MOSFET: SSM3K357Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、アクティブクランプ構造を採用した リレー駆動用小型MOSFET: SSM3K357Rの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。