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⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815R
製品情報 2017-11
資料ダウンロード (PDF:214KB)
「SSM6N815R」 は、低オン抵抗を実現した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFETです。
低オン抵抗特性により回路の電⼒損失を低減することが可能です。また、TSOP6Fパッケージでデュアルタイプを実現したため、シングルタイプのSOT-23Fパッケージを2個使⽤する場合に⽐べて、実装⾯積を約40 %削減することが可能です。⾼耐圧と実装⾯積の低減が同時に求められる、LED照明や液晶TVのLED駆動回路などの応⽤に適しています。
3つの特⻑
- 低オン抵抗
- ⼩型パッケージ [2.9×2.8 mm (typ.)]
- ⾼許容損失定格
用途
- LED照明
- 液晶TV
- 産業機器
製品仕様
(@Ta=25°C)
| 品番 | パッケージ | 絶対最大定格 | ドレイン·ソース間オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
|||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート· ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流(DC) ID (A) |
許容損失 PD (W) |
@VGS= 4.0 V |
@VGS= 4.5 V |
@VGS= 10 V |
|||
| TSOP6F | 100 | ±20 | 2.0 | 1.4 | 115 | 101 | 84 | 290 | |
端子配置図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
実装面積の比較
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