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⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815R

製品情報 2017-11

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815Rの製品写真です。

「SSM6N815R」 は、低オン抵抗を実現した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFETです。
低オン抵抗特性により回路の電⼒損失を低減することが可能です。また、TSOP6Fパッケージでデュアルタイプを実現したため、シングルタイプのSOT-23Fパッケージを2個使⽤する場合に⽐べて、実装⾯積を約40 %削減することが可能です。⾼耐圧と実装⾯積の低減が同時に求められる、LED照明や液晶TVのLED駆動回路などの応⽤に適しています。

3つの特⻑

  • 低オン抵抗
  • ⼩型パッケージ [2.9×2.8 mm (typ.)]
  • ⾼許容損失定格

用途

  • LED照明
  • 液晶TV
  • 産業機器

製品仕様

(@Ta=25°C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(ON) typ.  (mΩ)		 入力容量
Ciss
typ.
(pF)
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)		 ゲート·
ソース間
電圧
VGSS
(V)		 ドレイン
電流(DC)
ID
(A)		 許容損失
PD
(W)		 @VGS=
4.0 V		 @VGS=
4.5 V		 @VGS=
10 V
SSM6N815R TSOP6F 100 ±20 2.0 1.4 115 101 84 290

端子配置図

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815Rの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

実装面積の比較

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFETの実装面積の比較です。

＊本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。
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