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⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815R

製品情報 2017-11

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815Rの製品写真です。

「SSM6N815R」 は、低オン抵抗を実現した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFETです。
低オン抵抗特性により回路の電⼒損失を低減することが可能です。また、TSOP6Fパッケージでデュアルタイプを実現したため、シングルタイプのSOT-23Fパッケージを2個使⽤する場合に⽐べて、実装⾯積を約40 %削減することが可能です。⾼耐圧と実装⾯積の低減が同時に求められる、LED照明や液晶TVのLED駆動回路などの応⽤に適しています。

3つの特⻑

  • 低オン抵抗
  • ⼩型パッケージ [2.9×2.8 mm (typ.)]
  • ⾼許容損失定格

用途

  • LED照明
  • 液晶TV
  • 産業機器

製品仕様

(@Ta=25°C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·ソース間オン抵抗
RDS(ON) typ.  (mΩ)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ゲート·
ソース間
電圧
VGSS
(V)
ドレイン
電流(DC)
ID
(A)
許容損失
PD
(W)
@VGS=
4.0 V
@VGS=
4.5 V
@VGS=
10 V
TSOP6F 100 ±20 2.0 1.4 115 101 84 290

端子配置図

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815Rの端子配置図です。

応用回路例

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFET: SSM6N815Rの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

実装面積の比較

これは、⾼許容損失・⼩型パッケージを採⽤した100 V耐圧デュアルタイプのNチャネルMOSFETの実装面積の比較です。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。