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EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK1K0A60F、TK1K7A60F、TK2K2A60F、TK4K1A60F

製品情報 2018-09

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK1K0A60F、TK1K7A60F、TK2K2A60F、TK4K1A60Fの製品写真です。

当社は、最新[注1]の600 V耐圧NチャネルプレーナMOSFET π-MOSIXシリーズ「TK1K0A60F」「TK1K7A60F」「TK2K2A60F」「TK4K1A60F」を製品化し、ラインアップ展開しました。
新製品は、チップデザインの最適化により従来製品π-MOSVIIシリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を低減しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。同シリーズの既存製品TK750A60F (π-MOSIX) は、従来製品TK10A60D (π-MOSVII) に比べて、EMIノイズピーク値は5 dB低減[注2]しています。また、ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保し、従来製品からの置き換え検討を容易にしています。
今後、本シリーズでラインアップ展開を行います。

[注1] 2018年9月時点
[注2] 65 WノートPCアダプタ@200 MHz領域 

特⻑

  • 最新[注1]のプレーナMOSFETプロセス (π-MOSIXシリーズ) を採用
  • 高効率と低ノイズの両立
  • ドレイン電流 (DC) 定格と同等のアバランシェ電流定格を確保

用途

  • 中小型スイッチング電源 (ノートPC用ACアダプタ、ゲーム機チャージャなど)
  • 照明用電源

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 絶対最大定格 ドレイン·
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=10 V
(Ω)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
従来シリーズ
(π-MOSVIIシリーズ)
品番
ドレイン·
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
TK1K0A60F TO-220SIS 600 7.5 1 24 890 TK8A60DA
TK1K7A60F 4 1.7 16 560 TK4A60D
TK2K2A60F 3.5 2.2 13 450 TK4A60DA
TK4K1A60F 2 4.1 8 270 2SK3767[注3]
(RDS(ON)=4.5 Ω)

[注3] π-MOSVI

内部回路構成図

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK1K0A60F、TK1K7A60F、TK2K2A60F、TK4K1A60Fの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK1K0A60F、TK1K7A60F、TK2K2A60F、TK4K1A60Fの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

最新[注1]シリーズと従来シリーズとの比較[注4] (参考データ)

これは、EMIノイズ低減により自由度の高い設計を可能にする600 V系MOSFET π-MOSIXシリーズのラインアップ展開: TK1K0A60F、TK1K7A60F、TK2K2A60F、TK4K1A60Fの最新シリーズと従来シリーズとの比較です。

[注4] 当社実測値 (最新シリーズTK750A60F、従来シリーズTK10A60Dを比べた場合)

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。