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電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Z

製品情報 2020-03

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの製品写真です。

当社は、データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業機器のスイッチング電源向けに、650 V耐圧の新世代[注1]スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ「TK110N65Z」「TK110Z65Z」「TK110A65Z」「TK125V65Z」「TK155A65Z」「TK170V65Z」「TK190A65Z」「TK210V65Z」8品種を製品化し、パッケージとオン抵抗でラインアップを拡充しました。

新世代DTMOSVIシリーズは、従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、性能指数のドレイン·ソース間オン抵抗×ゲート·ドレイン間電荷量を約40 %低減し、スイッチング電源の効率を約0.36 %[注2]向上させることが可能です。

当社は、今後も市場動向に合わせてさらにラインアップを拡充し、電源の高効率化に貢献します。

[注1] 2020年3月時点、当社調べ
[注2] 2020年3⽉時点、当社実測値 (出力電力2500 W PFC回路で新シリーズTK040N65Zと従来シリーズTK62N60Xを比較した場合)

特長

  • ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量を 約40 %[注3]低減しスイッチング電源の効率向上

[注3] 従来世代DTMOSIV-Hシリーズと比べて

用途

産業機器のスイッチング電源

  • データセンター (サーバー電源など)
  • 太陽光発電のパワーコンディショナー
  • 無停電電源装置

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 パッケージ 極性 絶対最大定格 ドレイン・
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
max
@VGS=10 V
(Ω)
ゲート
入力
電荷量
Qg
typ.
(nC)
ゲート・
ドレイン間
電荷量
Qgd
typ.
(nC)
入力容量
Ciss
typ.
(pF)
従来世代
シリーズ品番
(DTMOSIV-H)
ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
(V)
ドレイン
電流
(DC)
ID
(A)
TK110N65Z TO-247 N-ch 650 24 0.11 40 11 2250 TK25N60X
TK110Z65Z TO-247-4L 650 24 0.11 40 11 2250 TK25Z60X
TK110A65Z TO-220SIS 650 24 0.11 40 11 2250 TK25A60X
TK125V65Z DFN8x8 650 24 0.125 40 11 2250 TK25V60X
TK155A65Z TO-220SIS 650 18 0.155 29 8 1635 TK20A60W[注4]
TK170V65Z DFN8x8 650 18 0.17 29 8 1635 TK20V60W[注4]
TK190A65Z TO-220SIS 650 15 0.19 25 7.1 1370 TK16A60W[注4]
TK210V65Z DFN8x8 650 15 0.21 25 7.1 1370 TK17V65W[注4]

[注4] DTMOSIVシリーズ

内部回路構成図

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの内部回路構成図です。

応用回路例

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの応用回路例です。

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

特性比較[注1]

これは、電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Zの特性比較です。

[注5] 測定データの平均値

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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