電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET「DTMOSVIシリーズ」のラインアップ拡充: TK110N65Z、TK110Z65Z、TK110A65Z、TK125V65Z、TK155A65Z、TK170V65Z、TK190A65Z、TK210V65Z
製品情報 2020-03
当社は、データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業機器のスイッチング電源向けに、650 V耐圧の新世代[注1]スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ「TK110N65Z」「TK110Z65Z」「TK110A65Z」「TK125V65Z」「TK155A65Z」「TK170V65Z」「TK190A65Z」「TK210V65Z」8品種を製品化し、パッケージとオン抵抗でラインアップを拡充しました。
新世代DTMOSVIシリーズは、従来世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、性能指数のドレイン·ソース間オン抵抗×ゲート·ドレイン間電荷量を約40 %低減し、スイッチング電源の効率を約0.36 %[注2]向上させることが可能です。
当社は、今後も市場動向に合わせてさらにラインアップを拡充し、電源の高効率化に貢献します。
[注1] 2020年3月時点、当社調べ
[注2] 2020年3⽉時点、当社実測値 (出力電力2500 W PFC回路で新シリーズTK040N65Zと従来シリーズTK62N60Xを比較した場合)
特長
- ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量を 約40 %[注3]低減しスイッチング電源の効率向上
[注3] 従来世代DTMOSIV-Hシリーズと比べて
用途
産業機器のスイッチング電源
- データセンター (サーバー電源など)
- 太陽光発電のパワーコンディショナー
- 無停電電源装置
製品仕様
(@Ta=25 °C)
| 品番 | パッケージ | 極性 | 絶対最大定格 | ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max @VGS=10 V (Ω) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲート･ ドレイン間 電荷量 Qgd typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
従来世代 シリーズ品番 (DTMOSIV-H) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
||||||||
| TK110N65Z | TO-247 | N-ch | 650 | 24 | 0.11 | 40 | 11 | 2250 | TK25N60X |
| TK110Z65Z | TO-247-4L | 650 | 24 | 0.11 | 40 | 11 | 2250 | TK25Z60X | |
| TK110A65Z | TO-220SIS | 650 | 24 | 0.11 | 40 | 11 | 2250 | TK25A60X | |
| TK125V65Z | DFN8x8 | 650 | 24 | 0.125 | 40 | 11 | 2250 | TK25V60X | |
| TK155A65Z | TO-220SIS | 650 | 18 | 0.155 | 29 | 8 | 1635 | TK20A60W[注4] | |
| TK170V65Z | DFN8x8 | 650 | 18 | 0.17 | 29 | 8 | 1635 | TK20V60W[注4] | |
| TK190A65Z | TO-220SIS | 650 | 15 | 0.19 | 25 | 7.1 | 1370 | TK16A60W[注4] | |
| TK210V65Z | DFN8x8 | 650 | 15 | 0.21 | 25 | 7.1 | 1370 | TK17V65W[注4] | |
[注4] DTMOSIVシリーズ
内部回路構成図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
特性比較[注1]
[注5] 測定データの平均値
＊本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。