電源の効率向上に貢献する新プロセス採用、80 V耐圧NチャネルパワーMOSFETのラインアップ拡充 : TPH2R408QM、TPH4R008QM、TPN8R408QM、TPN12008QM
製品情報 2020-07
当社は、産業機器のスイッチング電源に適した新世代80 V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOSⅩ-Hシリーズ」へ4品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。表面実装タイプパッケージで、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)[注1]採用の「TPH2R408QM、TPH4R008QM」、TSON Advance採用の「TPN8R408QM、TPN12008QM」です。
新製品は、低耐圧トレンチ構造の新世代プロセス「U-MOSⅩ-H」を採用し、業界トップクラス[注2]の低いドレイン · ソース間オン抵抗を実現しました。また、素子構造を最適化し、ドレイン · ソース間オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注3]しました。これにより導通損失が低減し、機器の省電力化に貢献できます。さらに、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引継いでおり、スイッチング用途時の性能指数である「ドレイン · ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量」を低減[注4]しています。
[注1] SOP Advance(N) : SOP Advanceより業界での実装互換を重視し4.90×6.10 mm (typ.) としたパッケージ
[注2] 同定格の製品で、当社調べ (2020年6月時点) によるものです。
[注3] TPH2R408QMの場合、TPH4R008NH (U-MOSVIII-H) と比べて「ドレイン · ソース間オン抵抗 (typ.) × 出力電荷量 (typ.) 」を約31 %改善。
[注4] TPH2R408QMの場合、TPH4R008NH (U-MOSVIII-H) と比べて「ドレイン · ソース間オン抵抗 (typ.) × ゲートスイッチ電荷量 (typ.) 」を約10 %低減。
特⻑
- 業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 :
RDS(ON)=2.43 mΩ (max) @VGS=10 V (TPH2R408QM)
RDS(ON)=4 mΩ (max) @VGS=10 V (TPH4R008QM)
RDS(ON)=8.4 mΩ (max) @VGS=10 V (TPN8R408QM)
RDS(ON)=12.3 mΩ (max) @VGS=10 V (TPN12008QM) - 低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
- 低ゲート電圧駆動 (6 V駆動)
用途
- 産業機器のスイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
- モーター制御機器 (モータードライブなど)
製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン · ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲート スイッチ 電荷量 QSW typ. (nC) |
出力 電荷量 Qoss typ. (nC) |
入力 容量 Ciss typ. (pF) |
パッケージ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン · ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
||||||||
| @Tc= 25 °C |
@VGS= 10 V |
@VGS= 6 V |
|||||||
| TPH2R408QM | 80 | 120 | 2.43 | 3.5 | 87 | 28 | 90 | 5870 | SOP Advance(N) [注1] |
| TPH4R008QM | 86 | 4 | 5.6 | 57 | 18 | 60 | 3750 | ||
| TPN8R408QM | 32 | 8.4 | 12.4 | 28 | 8.4 | 29.9 | 1750 | TSON Advance | |
| TPN12008QM | 26 | 12.3 | 17.7 | 22 | 6.5 | 21.1 | 1280 | ||
内部回路構成図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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