第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加

2017年10月17日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

サージ電流耐量と効率性能指数を同時に改善した当社第2世代チップを、初めて表面実装パッケージに搭載

表面実装パッケージ(通称名:DPAK)

当社は、シリコンカーバイド(SiC)を採用したショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、表面実装パッケージ6製品をラインアップに追加し、本日から量産出荷を開始します。
 

当社はこれまでリード挿入パッケージのSiC SBD製品を量産、販売してきましたが、セットの小型化、薄型化実現という市場要求に応えるため、表面実装パッケージ(通称名:DPAK)を当社として初めて製品化しました。
 

新製品は、当社最新の第2世代チップを搭載しており、サージ電流耐量(IFSM)と効率性能指数(VF・Qc[注])を同時に改善し、破壊しにくく低損失な特長を兼ね備えています。
低損失な本製品を採用することで、セットの効率向上、放熱設計の簡素化が図れます。

当社は今後もラインアップの充実を図り、通信機器、サーバ、インバータなどの高効率化、小型化の実現に貢献していきます。

[注] Qc:接合容量Cjの0.1V~400V間 総電荷量

新製品の主な特長

サージ電流耐量が高い

電流定格IF(DC)の約7~9.5倍を実現

性能指数VF・Qcが小さい
第1世代品に対し約2/3化を達成し、高効率化を実現
表面実装パッケージ

実装工程自動化、セットの小型・薄型化に貢献

応用機器

高効率電源のPFC回路部を中心に民生から産業まで幅広く応用可能です。

最終セットへの応用

民生・OA用途: 4K大型スクリーン用液晶&OLED TV電源、プロジェクタ電源、複合複写機用電源など
産業用途: 通信基地局用電源、PCサーバ用電源、太陽光マイクロインバータなど

回路部への応用

力率改善回路(PFC)
マイクロインバータ回路
チョッパー回路(数百W以上の各種電源装置)
スイッチング素子のフリーホイールダイオード部

主要特性

パッケージ 項目名 絶対最大定格 電気的特性
直流
順電流
非繰り返し
ピーク
順電流
許容
損失
接合
温度
順電圧 効率
性能
指数
接合
容量
総
電荷量
  記号 IF(DC) IFSM Ptot Tj VF VF・QC Cj QC
単位 (A)

(A)

(W)

(℃) (V) (V・nC) (pF) (nC)
値 最大 最大 最大 最大 - 標準 標準 標準
品名/条件 - 正弦半波
t=10ms
Tc=25℃ - IF =IF(DC) - VR=1V VR=400V
表面実装 DPAK TO-252 相当 TRS2P65F 2 19 34.0 175 1.45 (標準)

1.60 (最大)
8.4 85 5.8
TRS3P65F 3 26 37.5 11.7 120 8.1
TRS4P65F 4 33 41.0 15.1 165 10.4
TRS6P65F 6 45 48.3 21.9 230 15.1
TRS8P65F 8 58 55.5 28.6 300 19.7
TRS10P65F 10 70 62.5 35.4 400 24.4

新製品を含む当社のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記WEBページをご覧ください。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933

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