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第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加

2017年10月17日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

サージ電流耐量と効率性能指数を同時に改善した当社第2世代チップを、初めて表面実装パッケージに搭載

表面実装パッケージ(通称名:DPAK)

当社は、シリコンカーバイド(SiC)を採用したショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、表面実装パッケージ6製品をラインアップに追加し、本日から量産出荷を開始します。
 

当社はこれまでリード挿入パッケージのSiC SBD製品を量産、販売してきましたが、セットの小型化、薄型化実現という市場要求に応えるため、表面実装パッケージ(通称名:DPAK)を当社として初めて製品化しました。
 

新製品は、当社最新の第2世代チップを搭載しており、サージ電流耐量(IFSM)と効率性能指数(VF・Qc[注])を同時に改善し、破壊しにくく低損失な特長を兼ね備えています。
低損失な本製品を採用することで、セットの効率向上、放熱設計の簡素化が図れます。

当社は今後もラインアップの充実を図り、通信機器、サーバ、インバータなどの高効率化、小型化の実現に貢献していきます。

[注] Qc:接合容量Cjの0.1V~400V間 総電荷量

新製品の主な特長

サージ電流耐量が高い

電流定格IF(DC)の約7~9.5倍を実現

性能指数VF・Qが小さい
第1世代品に対し約2/3化を達成し、高効率化を実現
表面実装パッケージ

実装工程自動化、セットの小型・薄型化に貢献

応用機器

高効率電源のPFC回路部を中心に民生から産業まで幅広く応用可能です。

最終セットへの応用

民生・OA用途: 4K大型スクリーン用液晶&OLED TV電源、プロジェクタ電源、複合複写機用電源など
産業用途: 通信基地局用電源、PCサーバ用電源、太陽光マイクロインバータなど

回路部への応用

力率改善回路(PFC)
マイクロインバータ回路
チョッパー回路(数百W以上の各種電源装置)
スイッチング素子のフリーホイールダイオード部

主要特性

パッケージ 項目名 絶対最大定格 電気的特性
直流
順電流
非繰り返し
ピーク
順電流
許容
損失
接合
温度
順電圧 効率
性能
指数
接合
容量

電荷量
記号 IF(DC) IFSM Ptot Tj VF VF・QC Cj QC
単位 (A)

(A)

(W)

(℃) (V) (V・nC) (pF) (nC)
最大 最大 最大 最大 標準 標準 標準
品名/条件 正弦半波
t=10ms
Tc=25℃ IF =IF(DC) VR=1V VR=400V
表面実装 DPAK TO-252 相当 TRS2P65F 2 19 34.0 175 1.45 (標準)

1.60 (最大)
8.4 85 5.8
TRS3P65F 3 26 37.5 11.7 120 8.1
TRS4P65F 4 33 41.0 15.1 165 10.4
TRS6P65F 6 45 48.3 21.9 230 15.1
TRS8P65F 8 58 55.5 28.6 300 19.7
TRS10P65F 10 70 62.5 35.4 400 24.4
新製品を含む当社のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記WEBページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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