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600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について

2018年 1月10日
東芝デバイス&ストレージ株式会社

π-MOSⅨシリーズ

当社は、600V耐圧の新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨ(パイ・モス・ナイン)シリーズ」の量産を本日から開始します。新シリーズは、チップデザインの最適化により現行のπ-MOSⅦ(パイ・モス・セブン)シリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5dB低減[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保し、現行世代品からの置き換え検討を容易にしています。

当社は今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500V、650V耐圧品のラインアップ展開を行います。

応用機器

  • ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源
  • 照明用電源

新製品の主な特長

  • 高効率と低ノイズの両立
  • 定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保

新製品の主な仕様

品番 パッケージ 絶対最大定格 RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V
Qg
Typ.
(nC)
Ciss
Typ.
(pF)
現行世代
(π-MOSⅦシリーズ)
品名
VDSS (V) ID (A)
TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320
TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130
TO-220SIS 600 6 1.2 21 740 (1.25Ω)
TO-220SIS 600 3.7 1.9 14 490 (2.0Ω)

[注1]TK10A60DとTK750A60Fでの比較。 (65WノートPCアダプター@200MHz領域)

当社の400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

パワーデバイス営業推進部
Tel : 03-3457-3933

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。