2018年 1月10日
東芝デバイス&ストレージ株式会社
当社は、600V耐圧の新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨ(パイ・モス・ナイン)シリーズ」の量産を本日から開始します。新シリーズは、チップデザインの最適化により現行のπ-MOSⅦ(パイ・モス・セブン)シリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5dB低減[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保し、現行世代品からの置き換え検討を容易にしています。
当社は今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500V、650V耐圧品のラインアップ展開を行います。
品番 | パッケージ | 絶対最大定格 | RDS(ON) MAX (Ω) at VGS=10V |
Qg Typ. (nC) |
Ciss Typ. (pF) |
現行世代 (π-MOSⅦシリーズ) 品名 |
|
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VDSS (V) | ID (A) | ||||||
TO-220SIS | 600 | 11 | 0.65 | 34 | 1320 | ||
TO-220SIS | 600 | 10 | 0.75 | 30 | 1130 | ||
TO-220SIS | 600 | 6 | 1.2 | 21 | 740 | (1.25Ω) | |
TO-220SIS | 600 | 3.7 | 1.9 | 14 | 490 | (2.0Ω) |
[注1]TK10A60DとTK750A60Fでの比較。 (65WノートPCアダプター@200MHz領域)
当社の400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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