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LEDヘッドライト駆動用に適した小型高ESD耐量MOSFETの発売について

2018年 3月26日
東芝デバイス&ストレージ株式会社

SSM6N813R

当社は、LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに2回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」を製品化し、4月に量産を開始します。

新製品は、耐圧(VDSS)100Vまで対応しており、車載ヘッドライト用としてLEDが複数個使用される回路に適しています。最先端の微細プロセスチップをTSOP6Fパッケージに搭載したことにより、高許容損失(1.5W)、低Ronの製品が実現できました。また、TSOP6F パッケージはSOP8パッケージと比較して実装面積を70%削減することが可能です。

高ESD耐量特性により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。特に、高耐圧と実装面積の低減が求められるLEDヘッドライト駆動回路の使用に適しています。

応用機器

  • 車載向け LEDヘッドライト駆動用

新製品の主な特長

  • 小型パッケージ製品
  • 高ESD耐量品
  • 低Ron

新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

項目
(Ta=25℃)
SSM6N813R
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V)
100
ゲート・ソース間電圧
VGSS (V)
±20
ドレイン電流
ID (A)
3.5
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max (mΩ)
|VGS|=10V 112
|VGS|=4.5V  154
入力容量
Ciss typ. (pF)
242
パッケージ TSOP6F 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm

現品表示/内部接続図

東芝の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。