LEDヘッドライト駆動用に適した小型高ESD耐量MOSFETの発売について
2018年 3月26日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに2回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」を製品化し、４月に量産を開始します。
新製品は、耐圧(VDSS)100Vまで対応しており、車載ヘッドライト用としてLEDが複数個使用される回路に適しています。最先端の微細プロセスチップをTSOP6Fパッケージに搭載したことにより、高許容損失(1.5W)、低Ronの製品が実現できました。また、TSOP6F パッケージはSOP8パッケージと比較して実装面積を70%削減することが可能です。
高ESD耐量特性により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。特に、高耐圧と実装面積の低減が求められるLEDヘッドライト駆動回路の使用に適しています。
応用機器
- 車載向け LEDヘッドライト駆動用
新製品の主な特長
- 小型パッケージ製品
- 高ESD耐量品
- 低Ron
新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
| 項目 (Ta=25℃) |
SSM6N813R | ||
|---|---|---|---|
| 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
100 | |
| ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
±20 | ||
| ドレイン電流 ID (A) |
3.5 | ||
| 電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
|VGS|=10V | 112 |
| |VGS|=4.5V | 154 | ||
| 入力容量 Ciss typ. (pF) |
242 | ||
| パッケージ | 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm | ||
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel：03-3457-3411
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