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両面放熱により放熱性能を向上した新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

2018年 7月31日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

DSOP Advance(WF)

当社は、両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化しました。8月から量産、出荷を開始します。

新製品は、最新トレンチ構造のU-MOS IX-H (ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズのMOSFETチップを、DSOP Advance(WF)パッケージへ搭載することにより、高放熱・低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失による発熱をより効率的に放熱することが可能なため、放熱設計の自由度が上がります。 また、U-MOS IX-Hシリーズは従来シリーズ 「U-MOS IV (ユー・モス・フォー)」 に比べてスイッチングノイズが少なく、EMI[注1]の低減に貢献できます。

DSOP Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造[注2]を採用しています。

応用機器

  • 電動パワーステアリング(EPS)
  • ロードスイッチ
  • 電動ポンプ

新製品の主な特長

  • 車載用途に適したAEC-Q101適合
  • トッププレート[注3]とドレイン電極による両面放熱パッケージ
  • ウェッタブルフランク構造[注2]によるAOI視認性向上
  • 低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ

新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

品番 絶対最大定格 ドレイン・ソース間
オン抵抗
RDS(ON) max(mΩ)
ゲート・
ソース間
ツェナーダイオードの有無
シリーズ パッケージ
ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS (V)
ドレイン
電流(DC)
ID (A)
@VGS
6V
@VGS= 10V
TPWR7904PB 40 150 1.3 0.79
No U-MOS IX-H  DSOP Advance(WF)L
TPW1R104PB 120 1.96 1.14
DSOP Advance(WF)M

[注1] EMI (Electromagnetic interference): 電磁妨害

[注2] ウェッタブルフランク構造: 基板実装状態の自動外観検査 (AOI: Automated Optical Inspection) が可能な端子構造

[注3] トッププレートは、 ソースと同電位電極としての使用は想定外。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

パワーデバイス営業推進部

Tel: 03-3457-3933

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。