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両面放熱により放熱性能を向上した新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

2018年 7月31日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

DSOP Advance(WF)

当社は、両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化しました。8月から量産、出荷を開始します。

新製品は、最新トレンチ構造のU-MOS IX-H (ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズのMOSFETチップを、DSOP Advance(WF)パッケージへ搭載することにより、高放熱・低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失による発熱をより効率的に放熱することが可能なため、放熱設計の自由度が上がります。 また、U-MOS IX-Hシリーズは従来シリーズ 「U-MOS IV (ユー・モス・フォー)」 に比べてスイッチングノイズが少なく、EMI[注1]の低減に貢献できます。

DSOP Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造[注2]を採用しています。

応用機器

  • 電動パワーステアリング(EPS)
  • ロードスイッチ
  • 電動ポンプ

新製品の主な特長

  • 車載用途に適したAEC-Q101適合
  • トッププレート[注3]とドレイン電極による両面放熱パッケージ
  • ウェッタブルフランク構造[注2]によるAOI視認性向上
  • 低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ

新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

品番 絶対最大定格 ドレイン・ソース間
オン抵抗
RDS(ON) max(mΩ)
ゲート・
ソース間
ツェナーダイオードの有無
シリーズ パッケージ
ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS (V)
ドレイン
電流(DC)
ID (A)
@VGS
6V
@VGS= 10V
40 150 1.3 0.79
No U-MOS IX-H  DSOP Advance(WF)L
120 1.96 1.14
DSOP Advance(WF)M

[注1] EMI (Electromagnetic interference): 電磁妨害

[注2] ウェッタブルフランク構造: 基板実装状態の自動外観検査 (AOI: Automated Optical Inspection) が可能な端子構造

[注3] トッププレートは、 ソースと同電位電極としての使用は想定外。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933

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