両面放熱により放熱性能を向上した新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
2018年 7月31日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化しました。８月から量産、出荷を開始します。
新製品は、最新トレンチ構造のU-MOS IX-H (ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズのMOSFETチップを、DSOP Advance(WF)パッケージへ搭載することにより、高放熱・低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失による発熱をより効率的に放熱することが可能なため、放熱設計の自由度が上がります。 また、U-MOS IX-Hシリーズは従来シリーズ 「U-MOS IV (ユー・モス・フォー)」 に比べてスイッチングノイズが少なく、EMI[注1]の低減に貢献できます。
DSOP Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造[注2]を採用しています。
応用機器
- 電動パワーステアリング(EPS)
- ロードスイッチ
- 電動ポンプ
新製品の主な特長
- 車載用途に適したAEC-Q101適合
- トッププレート[注3]とドレイン電極による両面放熱パッケージ
- ウェッタブルフランク構造[注2]によるAOI視認性向上
- 低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ
新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max(mΩ) |
ゲート・ ソース間 ツェナーダイオードの有無 |
シリーズ | パッケージ |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流(DC) ID (A) |
@VGS＝ 6V |
@VGS= 10V | ||||
| 40 | 150 | 1.3 | 0.79 |
No | U-MOS IX-H | DSOP Advance(WF)L | |
| 120 | 1.96 | 1.14 |
DSOP Advance(WF)M | ||||
[注1] EMI (Electromagnetic interference): 電磁妨害
[注2] ウェッタブルフランク構造: 基板実装状態の自動外観検査 (AOI: Automated Optical Inspection) が可能な端子構造
[注3] トッププレートは、 ソースと同電位電極としての使用は想定外。
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パワーデバイス営業推進部
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