電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS Ⅵシリーズ」の発売について
2018年 8月20日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS Ⅵ (ディーティーモス・シックス) シリーズ」を製品化しました。シリーズ第一弾となる新製品「TK040N65Z」の量産、出荷を本日から開始します。
DTMOS Ⅵシリーズは、従来シリーズ「DTMOS Ⅳ-H (ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数であるドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる製品です。TK040N65Zは、従来製品「TK62N60X」(DTMOS Ⅳ-Hシリーズ)と比べて、RDS(ON)×Qgdを約40%低減したことにより、電源効率が約0.36%[注1]向上しました。
当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。
応用機器
- データセンター (サーバー電源など)
- 太陽光発電パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
新製品の主な特長
- 低RDS(ON)×Qgd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能
新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
[注1] 2018年6月時点、当社実測値 (2.5kW PFC回路@出力電力=2.5kW)。
東芝400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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Tel: 03-3457-3933
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