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産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について

2021年2月25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について

当社は、産業用機器向けに新開発のシリコンカーバイト (SiC) MOSFETチップを搭載した電圧定格3300V、電流定格800AのDual SiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を開発しました。2021年5月に量産を開始する予定です。

新製品は、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いパッケージiXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) を採用しました。これにより、チャネル温度定格175°Cを実現しました。
鉄道車両向けコンバーター、インバーターなどの電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

応用機器

  • 鉄道車両向けインバータ―・コンバーター
  • 再生可能エネルギー発電システム
  • 産業用モーター制御機器

新製品の主な特長

  • ドレイン・ソース間電圧定格 : VDSS=3300V
  • ドレイン電流定格 : ID=800A Dual
  • 高チャネル温度定格 : Tch=175°C
  • 低損失 :
    Eon=250mJ (typ.)
    Eoff=240mJ (typ.)
    VDS(on)sense =1.6 V (typ.)
  • 低寄生インダクタンス : Ls=12 nH (typ.)
  • 高パワー密度の小型iXPLVパッケージ

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Tc=25 °C)

品番

MG800FXF2YMS3

パッケージ

iXPLV

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧  VDSS  (V)

3300

ゲート・ソース間電圧  VGSS  (V)

+25/-10

ドレイン電流  ID  (A)

800

ドレイン電流 (パルス)  IDP  (A)

1600

チャネル温度  Tch  (°C)

175

絶縁耐圧  Visol  (Vrms)

6000

電気的特性

ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子)
VDS(on)sense typ.  (V)

@VGS= +20V、
ID=800A

1.6

ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子)
VSD(on)sense typ.  (V)

@VGS= +20V、
IS=800A

1.5

ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子)
VSD(off)sense typ.  (V)

@VGS= -6V、
IS=800A

2.3

寄生インダクタンス  LSPN typ.  (nH)

12

ターンオンスイッチング損失
Eon typ.  (mJ)

@VDD=1800V、
ID=800A、
Tch=150°C

250

ターンオフスイッチング損失
Eoff typ.  (mJ)

@VDD=1800V、
ID=800A、
Tch=150°C

240

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

MG800FXF2YMS3

東芝のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。

SiCパワーデバイス

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