外付けバック・トゥ・バックMOSFETによる逆流電流防止とは何ですか？

外付けバック・トゥ・バックMOSFETによる逆流電流防止とは、ゲートドライブICを使用したロードスイッチで逆流防止機能が必要なときに、2つの外付けN-ch MOSFETをコモンソース(ソース共通)またはコモンドレイン(ドレイン共通)で接続して、出力端子からの逆流を防止することを意味します。

MOSFETゲートドライバーと外付けバック・トゥ・バックMOSFETを用いて2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現、以下よりダウンロードが可能になっています。

パワーマルチプレクサー回路

以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。

アプリケーションノート

• ロードスイッチIC の過電流保護機能と逆流防止機能
• ロードスイッチICの基礎

FAQ

• リチウムイオン二次電池保護回路において、なぜMOSFETは2個直列で使用されるのですか？
• MOSFETのドレイン・ソース間に逆電圧を印加する時の注意点を教えてください。

製品リスト

• 外付けバック・トゥ・バックMOSFETゲートドライバー

製品ページ

• MOSFETゲートドライバーIC
• 12V - 300V MOSFET

その他の情報

• e-learning パワーマネージメント用IC