品番検索

クロスリファレンス検索

クロスリファレンス検索で表示される情報について

クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。
参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。
当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。

キーワード検索

パラメトリック検索

オンラインディストリビューター在庫検索

オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。

NEDO「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」 プロジェクトに採択

~次世代高電力密度産業用電源向けGaNパワーデバイスの開発について~

2022年3月2日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

当社は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「グリーンイノベーション基金事業/次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトにおいて、次世代パワー半導体デバイス製造技術開発事業(以下「本事業」)にテーマ名「次世代高電力密度産業用電源(サーバー・テレコム・FA等)向けGaNパワーデバイスの開発」で応募し、このたび採択を受けました。

データ社会の高度化の進展により、データセンターのサーバー、テレコム、AV機器、FA機器、モバイル機器などあらゆる電子機器に採用されているスイッチング電源の台数は増大し、2024年には世界で80億台もの出荷が見込まれています。(注) これに伴い、高効率で低消費電力な環境に配慮したスイッチング電源や、より小型・軽量で利便性の高いスイッチング電源への期待も大きくなっています。

現在のスイッチング電源では主にSi(シリコン)パワーデバイスが使われていますが、同デバイスでは電力密度の向上が頭打ちとなっており、優れたオン抵抗と高周波特性を持つGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを用いることで、機器の低損失化や高出力化、さらには冷却ユニット削減や高周波スイッチングによる小型化といったブレークスルーが期待されています。

本事業では、2022年度~2028年度に、当社が高品質・低コスト化のためのエピタキシャル成長技術や、新構造GaN-FET(電界効果トランジスター)及び周辺回路の開発を行い、Siパワーデバイス並みの使いやすさを備えたMHzスイッチングが可能なGaNパワーデバイスを開発します。国内大手電源メーカーと連携し、本事業で開発したデバイスを用いて産業用スイッチング電源応用の検証を行い、スイッチング電源市場の要求を満たすGaNパワーデバイスを早期に市場に提供できるよう努めます。

当社では、本事業を通じて、SDGs(持続可能な開発目標)の達成に貢献することを目指しています。今回の採択を機に、次世代のパワー半導体の開発や電力機器への実装に向けた動きを加速し、省エネルギー社会やカーボンニュートラルの実現に貢献していきます。

 

注: 参考資料:Omdia、AC-DC and DC-DC Merchant Power Supplies Market - 2020 Edition

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

別ウインドウにて開きます