性能と使いやすさを両立したGaNパワーデバイス

脱炭素社会実現へ向け省エネルギーが注目されている一方で電力需要は増加していることから、電力損失が少なく小型の電力変換システムのニーズが急速に高まっており、Siパワーデバイスの性能向上のみならず化合物パワーデバイスの導入が進められています。当社はSiパワーデバイスの製品ラインアップ拡大と生産設備の増強を進めており、化合物半導体においてはSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスを製品化しています。さらにGaN(窒化ガリウム)パワーデバイスの開発を進めています。
よりお客様が使いやすく、高性能なGaNパワーデバイスを提供することで、お客様の機器の電力損失の低減や小型化に貢献します。

現在、パワーデバイスには主にSiが適用され、熱特性に優れたSiCはハイパワー領域での高効率・高出力化が求められる機器へ適用されています。高周波特性に優れたGaNは~kWクラスでの高効率・小型化が求められる機器への応用が期待されます。

GaNは臨界電界強度、電子移動度が高い半導体材料であり、高速スイッチングや低オン抵抗特性の実現が可能です。
これにより、機器の低損失化や高出力化、高周波スイッチングや冷却ユニット削減による小型化に貢献します。

GaNパワーデバイス研究開発の取り組みはこちら
高チャネル移動度と高信頼性を両立させたMOS型GaN素子を実現するプロセス技術(583KB)
GaN-MOSFETの信頼性を向上するゲート絶縁膜プロセス技術を開発
ダイレクト駆動方式によりシステム設計の簡易化と安定動作を実現するカスコードタイプのディスクリート窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを開発

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SiC Power Devices
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