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Webセミナー開催のお知らせ(マルチゲートIGBT)

2022年8月25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

当社は、来る9月7日(水)に、「電力損失を大幅に低減 ~Si-IGBTのポテンシャルを引き出すマルチゲートIGBT技術~」と題し、無料Webセミナー(ウェビナー)を開催します。

電力変換時に発生する電力損失の低減による高効率化のために、パワー半導体のさらなる性能改善が求められています。中でも高耐圧のパワー半導体であるIGBTは幅広いアプリケーションの電力変換システムに搭載されており、IGBTの電力損失の低減は、エネルギー利用効率向上の面からもカーボンニュートラルの実現に大きく貢献します。
当社ではSi(シリコン)パワー半導体において、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失を大幅に低減可能なトリプルゲートIGBTなどのマルチゲートIGBTを開発しました。独立に駆動させるゲートを2系統以上持つ新しいIGBTの技術について解説します。

【お申込みはこちら】

これは、電力損失を大幅に低減 ~Si-IGBTのポテンシャルを引き出すマルチゲートIGBT技術~の画像です。

【プログラム(予定)】

  1. IGBTの利点と課題
  2. マルチゲート(ダブルゲート・トリプルゲート)IGBTとアクティブゲート制御
  3. ゲートドライブ事例
  4. まとめ

【こんな方におすすめ】

  • IGBTのスイッチング損失改善に課題をもつ設計者
  • 産業用のPV、UPSなど大型電源やモーターの設計者
  • Si(シリコン)-IGBTの動向について知りたい方

【Webセミナー実施概要】

配信日時:2022年9月7日(水)13:30~14:30(予定)
主催:東芝デバイス&ストレージ株式会社
参加費:無料
申込方法:事前登録制

お申込みはこちらから
電力損失を大幅に低減 ~Si-IGBTのポテンシャルを引き出すマルチゲートIGBT技術~

※ライブ配信後、オンデマンド配信も予定しています。ライブ配信の時間ご都合がつかない方も、後日ゆっくりとご覧いただけます。ぜひご登録をお済ませください。

【関連情報】

ニュースリリース

スイッチング損失の低減が可能な世界初のダブルゲート構造の逆導通型IEGTを開発

電力損失を大幅に低減可能なパワー半導体トリプルゲートIGBTを開発

その他のWebセミナーもラインアップしています。ご紹介ページはこちら

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【Webセミナーに関するお問い合せ先】

東芝デバイス&ストレージ株式会社

E-Mail:semicon-event@ml.toshiba.co.jp

*社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
*本資料に掲載されている情報(セミナーの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。