BASiCとパワーモジュール製品で戦略的パートナーシップ構築に向けて基本合意

東芝デバイス＆ストレージ株式会社（以下、東芝デバイス＆ストレージ）は、深圳基本半导体股份有限公司（BASiC Semiconductor Co., Ltd.、以下、BASiC）とパワーモジュール製品で戦略的パートナーシップ構築に向けて基本合意しました。東芝デバイス＆ストレージが有する高性能・高品質なパワー半導体のSiC^注1およびIGBT^注2技術と、BASiCが有する高効率・高信頼性モジュールアーキテクチャーを組み合わせることで、急速に進化する車載および産業向けに競争力のある製品をグローバルに展開していきます。

東芝デバイス＆ストレージのパワー半導体は、高い電力密度と品質の安定性を兼ね備えており、電力変換効率を改善し環境負荷の低減に貢献しています。中でもSiC MOSFET^注3は低オン抵抗かつ高信頼性を実現し、またIGBTは大電流かつ高信頼性を実現し豊富な市場実績があります。BASiCは、中国におけるSiCパワーデバイス分野で高い技術力を有するリーディングカンパニーです。SiCチップおよびパワーモジュールの技術開発を積極的に推進し、すでに車載規格や産業用途に対応した多くの製品を市場へ投入しています。これらの製品は、電動自動車や太陽光発電・蓄電システムなど幅広い分野で採用されています。今回の戦略的パートナーシップにより両社は市場での競争力を強化し、革新的なソリューションを提供することが可能になります。

東芝デバイス＆ストレージは、今後もより高性能で信頼性の高い新製品を開発することで、顧客の多様なニーズに応え、地球温暖化対策に貢献します。また、様々な形での両社の協力関係を検討し、持続可能な社会の実現に向けて双方のビジネスの成長と発展を目指します。

深圳基本半导体股份有限公司（BASiC Semiconductor Co., Ltd.）について
BASiCは中国の次世代パワー半導体業界の革新的な企業として、SiCパワー半導体の研究開発と産業化に注力しています。本社は中国の深センにあり、北京、上海、無錫、香港及び日本の名古屋に研究開発センターと製造拠点を有しています。BASiCは先進的なSiCコア技術を持ち、SiCパワー半導体のチップデザインと製造技術、パッケージングと試験、駆動アプリケーションまで様々な分野の研究開発に取り組んでいます。またSiC ショットキーバリアダイオード、SiC MOSFET及び車載用&産業用SiCパワーモジュール、ゲートドライバーIC等の製品を開発・生産しており、新エネルギー、電動自動車、スマートグリッド、電鉄、産業用などの分野に幅広く採用されています。
https://www.basicsemi.com/jp/