AIデータセンターの高効率化に貢献する、当社最新世代プロセス採用の80V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について

2026年6月30日

東芝デバイス＆ストレージ株式会社

当社は、AIデータセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した製品として、当社最新世代プロセス^[注１]「U-MOS11-H (ユー・モス・イレブン・エイチ）」を採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を製品化し、本日から出荷を開始します。

AI処理の拡大に伴うデータセンターの電力需要増加や、通信インフラの高度化により、スイッチング電源にはさらなる高効率化と小型化 (高電力密度化）、およびEMI^[注２]低減が強く求められています。電源の損失はシステム全体の消費電力・発熱・冷却負荷へ直結するため、パワー半導体は、導通損失とスイッチング損失をバランスよく低減することが重要です。さらに、EMI、熱設計、実装性といった複数の課題を考慮した、システム全体の設計最適化への貢献も求められています。

新製品は、素子構造を最適化し、当社従来世代プロセスU-MOSⅩ-Hを採用した80V耐圧の当社既存製品「TPM1R908QM」と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗 (R_DS(ON)) を約26%低減し、1.4mΩ (max) ^[注３]を実現しました。さらに、R_DS(ON)とゲート入力電荷量 (Q_g) のトレードオフを改善し、TPM1R908QMと比べてR_DS(ON)×Q_gを約45%低減しました。これにより、業界トップクラス^[注４]の低損失を実現しています。

加えて新製品は、スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。設計後半で手戻り要因になりやすいEMI対策を、デバイス起因のスパイク抑制から行うことで、フィルターやスナバー回路の簡素化にもつながります。

パッケージは、当社従来パッケージSOP Advance(N)と比べて、パッケージ抵抗を約65%、熱抵抗を約15%低減した、SOP Advance(E) を採用しました。発熱を抑えつつ放熱性を高めることで、電源の高出力化・小型化設計を支援します。

また、回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加え、パワー半導体の過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。さらに、当社Webサイト内のオンライン回路シミュレーターでは、シミュレーション環境の構築や素子モデルをダウンロードする手間を省き、Webブラウザー上で手軽に動作検証を行うことができます。（オンライン回路シミュレーターはこちら)

当社は今後も、電源効率の向上に寄与するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、産業用機器の低消費電力化に貢献していきます。

• AIデータセンターや通信基地局などのスイッチング電源

• 低いドレイン・ソース間オン抵抗 : R_DS(ON)=1.4mΩ (max) (V_GS=10V、I_D=50A、T_a=25°C)
• ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量が低い : R_DS(ON)×Q_g＝1.4mΩ×80nC=112mΩ・nC
  (TPM1R908QMの1.9mΩ×108nC=205.2mΩ・nCと比較して約45%低減)
• パッケージ抵抗と熱抵抗の低いSOP Advance(E)パッケージを採用

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPM1R408RH

当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MOSFET

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TPM1R408RH

お客様からの製品に関するお問い合わせ先 :

　　パワー＆小信号営業推進部

　　Tel : 044-548-2216