産業用機器で広く使われている出力形式仕様の2.5 A出力スマート・ゲートドライバーカプラー
製品情報 2022-05
当社は、中容量のIGBTやパワーMOSFETを使用したインバーター回路などで発生する過電流からパワーデバイスを保護する機能を搭載した2.5 A出力のスマート・ゲートドライバーカプラー「TLP5212」を製品化しました。
新製品は、出力形式を既存製品[注1]から変更し、産業用機器などで広く使われている製品の仕様に合わせました。また、IGBT非飽和検出機能やアクティブミラークランプ機能、FAULT出力機能などの保護回路を内蔵しているため、外付け回路の削減が可能です。これにより、異常検出や保護動作にかかるシステムコストの低減に貢献します。さらに、当社独自の高い信頼性を備えた高出力赤外LEDを搭載することで、家庭用太陽光発電システム、UPS[注2]などの熱環境の厳しい産業用機器にも使用でき、幅広い用途に対応します。
伝搬遅延時間や伝搬遅延スキューを動作温度定格 (Ta=－40 °C～110 °C) で規格化しているため、設計がしやすくなっています。
パッケージは、SO16Lを採用し、最大2.3 mmの低背のため、セット基板上での部品配置の自由度向上に貢献します。さらに、最小沿面距離8 mmを確保しており、高い絶縁性能を必要とする用途で使用できます。
TLP5212は、入力側LEDへの入力信号によって保護動作からスタンバイへ復帰します。規定時間の後、自動でスタンバイに復帰するTLP5222[注3]の製品化も予定しています。
[注1] TLP5214、TLP5214A
[注2] UPS : Uninterruptible Power Supply (無停電電源装置)
[注3] 2022年7月製品化予定 (2022年4月時点)
応用機器
- 産業用機器
汎用インバーター、ACサーボアンプ、PVインバーター、UPS[注2]など
新製品の主な特長
- 産業用機器などで広く使われている2個のNチャネルMOSFET[注4]によるトーテムポール出力形式
- IGBT非飽和検出機能、アクティブミラークランプ機能、FAULT出力機能などの保護機能内蔵
- ピーク出力電流定格 : IOP=±2.5 A
[注4] 電流吐出し用のソースフォロワーNチャネルMOSFETと電流吸込み用のソース接地NチャネルMOSFET
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=－40 °C～110 °C)
品番 |
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|---|---|---|---|
パッケージ |
名称 |
SO16L |
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寸法 (mm) |
10.3 × 10 (typ.) t : 2.3 (max) |
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絶対最大定格 |
動作温度 Topr (°C) |
ー40～110 |
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ピーク出力電流 IOPH/IOPL (A) |
±2.5 |
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推奨動作条件 |
トータル出力電源電圧 (VCC2 − VEE) (V) |
15～30 |
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フォルトIC正電源電圧 VCC1 (V) |
2.7～5.5 |
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電気的特性 |
供給電流 Icc2H、Icc2L max (mA) |
5 |
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スレッショルド入力電流 (L/H) IFLH max (mA) |
6 |
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DESAT スレッショルド VDESAT typ. (V) |
6.6 |
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スイッチング特性 |
伝搬遅延時間 tpHL、tpLH max (ns) |
250 |
|
伝搬遅延スキュー tpsk (ns) |
ー150～150 |
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コモンモード過渡耐性 CMH、CML min (kV/μs) |
@CF=15 pF、Ta=25 °C |
±25 |
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@CF=1 nF、Ta=25 °C |
±50 |
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絶縁特性 |
絶縁耐圧 BVS min (Vrms) |
@Ta=25 °C |
5000 |
ピン接続図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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