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高密度実装可能なP-SON4パッケージの高阻止電圧定格フォトリレーのラインアップ拡充 : TLP3483、TLP3484

製品情報 2021-05

これは、高密度実装可能なP-SON4パッケージの高阻止電圧定格フォトリレーのラインアップ拡充 : TLP3483、TLP3484の製品写真です。

当社は、2.54SOPパッケージと比べて実装面積を削減した P-SON4パッケージのフォトリレー「TLP3483、TLP3484」を製品化し、TLP348xシリーズのラインアップを拡充しました。

新製品は、受光側に当社新プロセス[注1]の高耐圧MOSFETチップを使用し、高い阻止電圧定格を実現しました。阻止電圧定格は、TLP3483が200 V、TLP3484が400 Vです。これにより、幅広いテスター用途で使用できます。
パッケージは、実装面積7.14 mm2 (typ.) のP-SON4を採用し、2.54SOP4と比べて約74 %、2.54SOP6と比べて約84 %小型化し、高密度実装が可能です。
ラインアップ拡充により、TLP348xシリーズは、阻止電圧定格が30 V/60 V/100 V/200 V/400 Vの5品種となります。

[注1] 二重拡散構造のπ-MOSプロセス

特長

  • 阻止電圧定格が高い
     TLP3483 : 阻止電圧定格 200 V、オン電流定格 0.35 A
     TLP3484 : 阻止電圧定格 400 V、オン電流定格 0.18 A
  • 小型パッケージP-SON4 : 2.1 mm x 3.4 mm (typ.)、実装面積 7.14 mm2 (typ.)

用途

  • 半導体テスター (メモリー、SoC、LSI、ディスクリートなど)[注2]
  • プローブカード
  • I/O インターフェースボード

[注2] TLP3484は半導体テスター専用

製品仕様

(@Ta=25 °C)

品番 TLP3483 TLP3484 TLP3480[注3] TLP3481[注3] TLP3482[注3]
接点 1a
パッケージ P-SON4
絶対最大定格 阻止電圧 VOFF (V) 200 400 30 60 100
オン電流 ION (A) 0.35 0.18 4.5 3 2
オン電流 (パルス) IONP (A) 1.05 0.54 10 9 6
トリガーLED電流 IFT max (mA) 3
オン抵抗 RON max (Ω) 8 35 0.05 0.1 0.2
オフ電流 IOFF max (μA) 0.01 1
端子間容量 (出力側) COFF typ. (pF) 75 60 450 250 170
絶縁耐圧 BVS min (Vrms) 500
ターンオン時間 tON max (ms) 1 5 3
ターンオフ時間 tOFF max (ms) 1

[注3] 先行リリース製品

端子配置図

これは、高密度実装可能なP-SON4パッケージの高阻止電圧定格フォトリレーのラインアップ拡充 : TLP3483、TLP3484の端子配置図です。

応用回路例

これは、高密度実装可能なP-SON4パッケージの高阻止電圧定格フォトリレーのラインアップ拡充 : TLP3483、TLP3484の応用回路例です。

[注4] DPS (Device Power Supply) : 被試験デバイスに電源を供給するための計測部の一部

注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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