電源の効率向上に貢献する100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズのラインアップ展開: TK2R9E10PL、他
製品情報 2018-03
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「TK2R9E10PL、他」の12品種は電源用途に適した100 V耐圧NチャネルパワーMOSFET U-MOSIX-Hシリーズの新製品です。
新製品は、TO-220パッケージ5品種、TO-220SISパッケージ5品種、DPAKパッケージ2品種です。これによりラインアップを拡充しました。低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセスU-MOSIX-Hを採用し、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現と、オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注2]しました。また、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引継いでおり、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×ゲートスイッチ電荷量も低減[注3]しています。
[注1] 同定格の製品において、当社調べ (2018年1月時点) によるものです。
[注2] TK2R9E10PLの場合、TK100E10N1 (U-MOSVIII-H) と比べてオン抵抗 (typ.)×出力電荷量 (typ.) を約18 %改善。
[注3] TK2R9E10PLの場合、TK100E10N1 (U-MOSVIII-H) と比べてオン抵抗 (typ.)×ゲートスイッチ電荷量 (typ.) を約25 %改善。
3つの特⻑
- 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗
RDS(ON)=2.9 mΩ (max) @VGS=10 V (TK2R9E10PL) - 低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量
- ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応
用途
- 各種電源 (高効率AC-DCコンバータ、高効率DC-DCコンバータ、スイッチング電源など)
- モータ制御機器 (モータドライブなど)
製品仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25 °C)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン·ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC) |
ゲート スイッチ 電荷量 QSW typ. (nC) |
出力 電荷量 Qoss typ. (nC) |
入力容量 Ciss typ. (pF) |
パッケージ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ドレイン· ソース間 電圧 VDSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID @TC=25 °C (A) |
@VGS =10 V |
@VGS =4.5 V |
||||||
| 100 | 100 | 2.9 | 4.1 | 161 | 48 | 164 | 9500 | TO-220 | |
| 100 | 3.9 | 5.8 | 96 | 26 | 99 | 6320 | |||
| 70 | 6.4 | 9.7 | 58 | 17 | 58 | 3455 | |||
| 60 | 7.2 | 11 | 44 | 13 | 47 | 2800 | |||
| 42 | 10.7 | 16 | 33 | 9.3 | 32 | 2040 | |||
| 100 | 3.2 | 4.3 | 161 | 48 | 164 | 9500 | TO-220SIS | ||
| 80 | 4.1 | 5.9 | 104 | 29 | 99 | 6320 | |||
| 56 | 6.7 | 10.1 | 58 | 17 | 58 | 3455 | |||
| 50 | 7.4 | 11.2 | 44 | 13 | 47 | 2800 | |||
| 36 | 10.8 | 16 | 33 | 9.3 | 32 | 2040 | |||
| 55 | 7.7 | 11.5 | 44 | 13 | 47 | 2800 | DPAK | ||
| 40 | 10.6 | 16 | 33 | 9.3 | 32 | 2040 | |||
内部回路構成図
応用回路例
注: この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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