電源の高効率化に貢献するDTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプパワーMOSFETラインアップ拡充

製品情報 2024-07

これは、電源の高効率化に貢献するDTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプパワーMOSFETラインアップ拡充の製品写真です。

当社は、データセンター向け高効率スイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造を採用した当社最新世代[注1]「DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズ」の高速ダイオードタイプ (DTMOSVI (HSD)) の650V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TK068N65Z5、TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5、TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5、TK115N65Z5」を製品化し、ラインアップを拡充しました。パッケージは、TO-247、TO-220SIS、TO-220、DFN8×8を採用しています。

新製品に使用したDTMOSVI (HSD) プロセスは、高速ダイオードを採用することで、ブリッジ回路やインバーター回路用途で重要な逆回復[注2]特性を向上しました。新製品TK095A65Z5では、スタンダードタイプ (DTMOSVI) の当社既存製品TK090A65Zと比べて逆回復時間 (trr ) で約65%低減[注3]、逆回復電荷量 (Qrr) で約88%[注3]低減 (測定条件 : -dIDR/dt=100A/μs) しています。また、DTMOSVI (HSD) プロセスでは、当社既存製品DTMOSIV (ディーティーモスフォー) シリーズの高速ダイオードタイプ (DTMOSIV (HSD)) と比較して逆回復[注2]特性を改善し、高温のドレインしゃ断電流を低減しました。さらに、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」も低減しました。新製品TK095A65Z5では、当社既存製品TK35A65W5[注4]と比べて高温のドレインしゃ断電流で約91%低減[注5]、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量で約70%低減[注3]しています。これにより、機器の損失を低減し、高効率化に貢献します。

なお、新製品と同シリーズTK095N65Z5を搭載した「1.6kWサーバー用電源 (アップグレード版)」リファレンスデザインを当社webサイトに公開中です。

回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル (G0モデル) に加えて、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル (G2モデル) も提供します。

当社は、DTMOSVIシリーズのラインアップを今後も拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。

[注1] 2024年7月17日現在、当社調べ。
[注2] MOSFET ボディーダイオードが順方向から逆方向バイアスに切り替わるスイッチング動作のこと
[注3] 当社実測値。
[注4] DTMOSIV (HSD) シリーズ
[注5] 当社実測値。新製品TK095A65Z5は、0.23mA (測定条件 : VDS=650V、VGS=0V、Ta=150°C)、
        当社既存製品TK35A65W5は、2.6mA (測定条件 : VDS=650V、VGS=0V、Ta=150°C)

応用機器

産業用機器

  • スイッチング電源 (データセンターのサーバー、通信機器など)
  • EV充電スタンド
  • 太陽光発電パワーコンディショナー
  • 無停電電源装置

新製品の主な特長

  • 最新世代[注1]DTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプ
  • 高速ダイオードタイプによる高速逆回復時間 :
    TK068N65Z5 trr=135ns (typ.)
    TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5 trr=115ns (typ.)
    TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5、TK115N65Z5 trr=110ns (typ.)
  • 低ゲート・ドレイン間電荷量による高速スイッチング時間 :
    TK068N65Z5 Qgd=22nC (typ.)
    TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5 Qgd=17nC (typ.)
    TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5、TK115N65Z5 Qgd=14nC (typ.)

新製品の主な仕様

(Ta=25°C)

品番

パッケージ

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン・

ソース間

オン抵抗

RDS(ON)

(Ω)

ゲート

入力

電荷量

Qg

(nC)

ゲート・

ドレイン間

電荷量

Qgd

(nC)

入力

容量

Ciss

(pF)

チャネル・

ケース間

熱抵抗

Rth(ch-c)

(°C/W)

逆回復

時間

trr

(ns)

当社従来シリーズ

(DTMOSIV)

品番

VGS=10V

Max

Typ.

Typ.

Typ.

Max

Typ.

TK068N65Z5

TO-247

650

37

0.068

68

22

3765

0.462

135

TK49N65W5

TK39N60W5[注6]

TK095E65Z5

TO-220

29

0.095

50

17

2880

0.543

115

TK095A65Z5

TO-220SIS

2.77

TK35A65W5

TK095V65Z5

DFN8×8

28

0.543

TK31V60W5[注6]

TK115E65Z5

TO-220

24

0.115

42

14

2280

0.657

110

TK25E60X5[注6]

TK115A65Z5

TO-220SIS

2.77

TK25A60X5[注6]

TK115N65Z5

TO-247

0.657

TK28N65W5

TK25N60X5[注6]

TK115V65Z5

DFN8×8

23

0.657

TK28V65W5

TK31V60W5[注6]

[注6] VDSS=600V

特性図[注3]

これは、電源の高効率化に貢献するDTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプパワーMOSFETラインアップ拡充の特性図です。
これは、電源の高効率化に貢献するDTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプパワーMOSFETラインアップ拡充の特性図です。
これは、電源の高効率化に貢献するDTMOSVIシリーズの高速ダイオードタイプパワーMOSFETラインアップ拡充の特性図です。

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
* 本資料に掲載されている情報 (製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。