機器の低消費電力化とバッテリーの長時間駆動に貢献する小型MOSFET
製品情報 2024-10
当社は、ウエアラブル端末やタブレットデバイスなどの携帯機器およびIoT機器向けに、低ゲート漏れ電流や低ドレインしゃ断電流を特長とした小型MOSFETを製品化しました。
新製品は、ドレインしゃ断電流を当社従来MOSFET製品の1μA (max)[注1]から60nA (max)[注2]に大きく削減し、ゲート漏れ電流はMOSFETがオン状態となるゲート電圧条件下で50nA (max) (VGS=5V時)[注2]を保証しました。これらの特性は、半導体デバイスの高密度設計により増大するトータルエネルギーを最小限に抑えたいアプリケーションや、バッテリー駆動のポータブルデバイスに適しており、機器の省エネルギーとバッテリー持続性に大きく貢献します。
30V耐圧および20V耐圧のNチャネルMOSFETで4シリーズ、－20V耐圧のPチャネルMOSFETで2シリーズの計6シリーズ中29品種を製品化しました。さまざまな小型面実装パッケージを揃え、お客様の幅広いニーズに応えます。
[注1] SSM3K15Aシリーズで
[注2] SSM3K79シリーズで
応用機器
- スマートフォン
- ウエアラブル端末 (ヒアラブル端末)
- IoT機器
- ノートPC
- タブレットデバイスなど
新製品の主な特長
(SSM3K79シリーズ)
- 低ドレインしゃ断電流：IDSS = 60nA (max) (VDS=30V)
- 低ゲート漏れ電流：IGSS = 50nA (max) (VGS=±5V)
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25 °C)
品番 |
極性 | パッケージ | 絶対最大定格 | 電気的特性 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | サイズ (mm) |
ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V) |
ゲート・ ソース間 電圧 VGSS (V) |
ドレイン 電流 (DC) ID (A) |
ドレイン しゃ断 電流 IDSS (nA) |
ゲート 漏れ 電流 IGSS (nA) |
ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) (Ω) |
|||
| VDS= Max |
VGS= ±5V |
❘VGS❘= 4V |
❘VGS❘= 4.5V |
|||||||
| Typ. | Max | Max | Max | Max | ||||||
| SSM3K79CTC | Nチャネル |
CST3C | 0.8 × 0.6 | 30 |
±20 |
0.1 |
60 | ±50 | 3.6 |
- |
| SSM3K79CT | CST3 | 1.0 × 0.6 | ||||||||
| SSM3K79MFV | VESM | 1.2 × 1.2 | ||||||||
| SSM3K79FS | SSM | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM3K79FU | USM | 2.1 × 2.0 | ||||||||
| SSM6N79FE | ES6 | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6N79FU | US6 | 2.1 × 2.0 | ||||||||
| SSM3K78CTC | Nチャネル |
CST3C | 0.8 × 0.6 | 20 |
±10 |
0.25 |
80 | ±80 | - |
1.1 |
| SSM3K78MFV | VESM | 1.2 × 1.2 | ||||||||
| SSM3K78FS | SSM | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6N78FE | ES6 | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6N78FU | US6 | 2.1 × 2.0 | ||||||||
| SSM3K77CT | Nチャネル |
CST3 | 1.0 × 0.6 | 20 |
±10 |
0.2 |
80 | ±80 | - |
2.2 |
| SSM3K77MFV | VESM | 1.2 × 1.2 | ||||||||
| SSM3K77FS | SSM | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6N77FE | ES6 | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6N77FU | US6 | 2.1 × 2.0 | ||||||||
| SSM3K76CT | Nチャネル |
CST3 | 1.0 × 0.6 | 20 |
±8 |
0.8 |
200 | ±200 | - |
0.235 |
| SSM3K76MFV | VESM | 1.2 × 1.2 | ||||||||
| SSM3K76FS | SSM | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6N76FE | ES6 | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM3J78CTC | Pチャネル |
CST3C | 0.8 × 0.6 | -20 |
±10 |
-0.25 |
80 | ±80 | - |
1.4 |
| SSM3J78MFV | VESM | 1.2 × 1.2 | ||||||||
| SSM3J78FS | SSM | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6P78FE | ES6 | 1.6 × 1.6 | ||||||||
| SSM6P78FU | US6 | 2.1 × 2.0 | ||||||||
| SSM3J76CT | Pチャネル |
CST3 | 1.0 × 0.6 | -20 |
±8 |
-0.8 |
80 | ±80 | - |
0.39 |
| SSM3J76MFV | VESM | 1.2 × 1.2 | ||||||||
| SSM6P76FE | ES6 | 1.6 × 1.6 | ||||||||
端子配置図
応用回路例
注 : この応⽤回路例は参考例であり、量産設計に際しては⼗分な評価を⾏ってください。また、⼯業所有権の使⽤の許諾を⾏うものではありません。
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