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アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について

平成29年 9月25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

SOT-23

当社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。
 

本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。
 

また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

  • 車載向け リレー、ソレノイド駆動用
  • 産業向け リレー、ソレノイド駆動用
  • OA機器向け クラッチ駆動用

新製品の主な特長

  • 誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
  • 3.0V低電圧動作
  • AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

項目
(Ta=25℃)
特性
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V)
60
ゲート・ソース間電圧
VGSS (V)
±12
ドレイン電流
ID (A)
0.65
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) typ. (mΩ)
|VGS|=3.0V 1200
|VGS|=5.0V 800
ゲート入力電荷量
Qg typ. (nC)
1.5
入力容量
Ciss typ. (pF)
43
パッケージ SOT-23F 2.9mm×2.4mm; t=0.8mm

内部回路構成図

SSM3K357R 内部回路構成図

当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

小信号デバイス営業推進部

Tel: 03-3457-3411

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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·設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。