アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について

平成29年 9月25日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

SOT-23

当社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。
 

本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。
 

また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

  • 車載向け リレー、ソレノイド駆動用
  • 産業向け リレー、ソレノイド駆動用
  • OA機器向け クラッチ駆動用

新製品の主な特長

  • 誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
  • 3.0V低電圧動作
  • AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

項目
(Ta=25℃)
特性
絶対最大定格 ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V)
60
ゲート・ソース間電圧
VGSS (V)
±12
ドレイン電流
ID (A)
0.65
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) typ. (mΩ)
|VGS|=3.0V 1200
|VGS|=5.0V 800
ゲート入力電荷量
Qg typ. (nC)
1.5
入力容量
Ciss typ. (pF)
43
パッケージ SOT-23F 2.9mm×2.4mm; t=0.8mm

内部回路構成図

SSM3K357R 内部回路構成図

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:

小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411

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