平成29年 9月25日
東芝デバイス&ストレージ株式会社
当社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。
本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。
また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。
項目 (Ta=25℃) |
特性 | ||
---|---|---|---|
絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
60 | |
ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
±12 | ||
ドレイン電流 ID (A) |
0.65 | ||
電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) typ. (mΩ) |
|VGS|=3.0V | 1200 |
|VGS|=5.0V | 800 | ||
ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC) |
1.5 | ||
入力容量 Ciss typ. (pF) |
43 | ||
パッケージ | SOT-23F | 2.9mm×2.4mm; t=0.8mm |
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。