電源の高効率化に貢献する最新世代プロセス採用、80V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
2020年3月30日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、データセンターや通信基地局などの産業機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセスを採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「U-MOS X-H(ユー・モス・テン・エイチ)シリーズ」を発売しました。表面実装タイプパッケージSOP Advance採用の「TPH2R408QM」、TSON Advance採用の「TPN19008QM」をラインアップし、本日から順次出荷を開始します。
最新世代プロセス「U-MOS X-Hシリーズ」80V耐圧製品は、従来世代プロセス「U-MOS Ⅷ-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗を約40%低減しました。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン･ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性[注1]のトレードオフを改善[注2]しました。これにより、業界トップ[注3]の低損失を実現しました。
当社は、今後も損失を低減する製品のラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
応用機器
- スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
- モーター制御機器 (モータードライブなど)
新製品の主な特長
- 業界トップ[注3]の低損失を実現 (オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフを改善[注2])
- 業界トップクラス[注3]の低オン抵抗 :
RDS(ON)=2.43mΩ (max) ＠VGS=10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ (max) ＠VGS=10V (TPN19008QM)
- 高いチャネル温度定格 : Tch=175℃
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=25℃)
品番 |
|||||
|---|---|---|---|---|---|
絶対最大定格 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) |
80 |
80 |
||
ドレイン電流 (DC) ID (A) |
@Tc=25℃ |
120 |
34 |
||
チャネル温度 Tch (℃) |
175 |
175 |
|||
電気的特性 |
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ) |
@VGS=10V |
2.43 |
19 |
|
@VGS=6V |
3.5 |
28 |
|||
ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC) |
87 |
16 |
|||
ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC) |
28 |
5.5 |
|||
出力電荷量 Qoss typ. (nC) |
90 |
16.5 |
|||
入力容量 Ciss typ. (pF) |
5870 |
1020 |
|||
パッケージ |
名称 |
SOP Advance |
TSON Advance |
||
サイズ typ. (mm) |
5.0×6.0 |
3.3×3.3 |
|||
オンラインディストリビューター在庫検索＆Web少量購入 |
|
|
|||
[注1] ゲート入力電荷量、ゲートスイッチ電荷量、出力電荷量
[注2] TPH2R408QMの場合、既存製品TPH4R008NH (U-MOSⅧ-Hシリーズ) と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗xゲート入力電荷量を約15%改善、ドレイン･ソース間オン抵抗xゲートスイッチ電荷量を約10%改善、ドレイン･ソース間オン抵抗x出力電荷量を約31%改善。
[注3] 2020年3月30日現在。当社調べ。
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
当社の12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TPH2R408QM
TPN19008QM
＊社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。