バッテリーの長時間動作に貢献する小型・低オン抵抗のドレインコモンMOSFETの発売について
2020年9月30日
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、モバイル機器などのリチウムイオン(Li-ion)電池パックに使用されるバッテリー保護回路向けに、ドレインコモン接続12V耐圧 NチャネルMOSFET「SSM6N951L」を製品化し、本日から出荷を開始します。
近年、Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、冗長性の高い保護回路が採用されています。このため、その保護回路には超低電力損失と超高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては極めて低いオン抵抗と超小型・薄型サイズが求められています。
当社は、急速充電などに代表される将来にわたる技術要求に応えるため、低オン抵抗特性にすぐれた専用微細プロセスを開発し、新製品SSM6N951Lに採用しました。業界トップクラス[注１]の低オン抵抗特性による低電力損失に加えて、低いゲートからの漏れ電流(低ゲート・ソース間漏れ電流)特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。
さらに、超小型かつ薄型のChip scale package (CSP)を用いることで、電池パックに必要となる薄型で限られた実装エリアにも使用可能です。
当社は今後も、Li-ion電池パック搭載機器の保護回路向けにMOSFET製品の開発を進めていきます。
応用機器
Li-ion電池パック搭載機器
- オフィス/パーソナル機器 (スマートフォン、タブレット、パワーバンク、ウエアラブル端末など)
- 民生機器 (ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルスチルカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)
新製品の主な特長
- 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗: RSS(ON)=4.6mΩ (typ.) @VGS=3.8V
- 業界トップクラス[注1]の低ゲート・ソース間漏れ電流: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
- 小型面実装TCSP6A-172101パッケージ: 2.14x1.67mm t: 0.11mm (typ.)
- バッテリー保護回路で使用しやすいドレインコモン構造
新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
品番 |
||
|---|---|---|
構造 |
Nチャネル ドレインコモン |
|
絶対最大定格 |
ソース・ソース間電圧 VSSS (V) |
12 |
ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) |
±8 |
|
ソース電流 (DC) IS (A) |
8 |
|
ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS max @VGS＝±8 V (μA) |
±1 |
|
ソース･ソース間オン抵抗 RSS(ON) typ. (mΩ) |
@VGS＝4.5V |
4.4 |
@VGS＝3.8V |
4.6 |
|
@VGS＝3.1V |
4.9 |
|
@VGS＝2.5V |
5.5 |
|
パッケージ |
名称 |
TCSP6A-172101 |
寸法 typ. (mm) |
2.14x1.67 t: 0.11 |
|
オンラインディストリビューター在庫検索＆Web少量購入 |
|
|
[注１] 同定格の製品において。当社調べ (2020年9月29日時点) によるものです。
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
当社のMOSFET製品については下記ページをご覧ください。
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
SSM6N951L
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
＊社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。